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汕头市罗克自动化科技有限公司
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6MBI450U4-120 富士IGBT模块留意事项：
由于IGBT模块为MOSFET构造，IGBT的栅极经过一层氧化膜与发射极完成电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压普通到达20～30V。因而因静电而招致栅极击穿是IGBT失效的常见缘由之一。
6MBI450U4-120富士IGBT模块销售可维修，汕头市罗克自动化科技有限公司全心全意为您服务！6MBI450U4-120富士IGBT模块实物图如下：
6MBI450U4-120富士IGBT模块
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6MBI450U4-120富士IGBT模块
6MBI450U4-120富士IGBT模块留意事项：
由于IGBT模块为MOSFET构造，IGBT的栅极经过一层氧化膜与发射极完成电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压普通到达20～30V。因而因静电而招致栅极击穿是IGBT失效的常见缘由之一。
因而运用中要留意以下几点：
1.在运用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子局部，当必需要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地停止放电后，再触摸;
2.在用导电资料衔接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块;
3.尽量在底板良好接地的状况下操作。
在应用中有时固然保证了栅极驱动电压没有超越栅*额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也能够抑止振荡电压。
此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，假如集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。
在运用IGBT的场所，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为避免此类毛病，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。
在装置或改换IGBT模块时，应非常注重IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧水平。为了减少接触热阻，好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。普通散热片底部装置有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将招致IGBT模块发热，而发作毛病。
因而对散热风扇应定期停止检查，普通在散热片上靠近IGBT模块的*装置有温度感应器，当温渡过高时将报警或中止IGBT模块工作。
1.尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场所;
2.普通保管IGBT模块的场所，应坚持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规则为5～35℃，常湿的规则在45～75%左右。在冬天特别枯燥的地域，需用加湿机加湿;
3.在温度发作急剧变化的场所IGBT模块外表可能有结露水的现象，因而IGBT模块应放在温度变化较小的*;
4.保管时，须留意不要在IGBT模块上堆放重物;
5.装IGBT模块的容器，应选用不带静电的容器。
6.检测IGBT模块的的方法。
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