深圳市扎克贸易有限公司专注欧美工控备件进口，德国公司直接采购。
扎克贸易邱小秀 Tell 177 246 14962 (微X同号）
Q-Q 191375995
询价=品牌+型号+数量+公司信息
| ELP 25486703 |
| ELP 25486703 |
| ansaldo |
| ansaldo |
模块是集外围电路内置于一块功率模块的器件，IPM以其高可靠性，使用方便赢得越来越大的市场，尤其适合于驱动电机的变频器和各种逆变电源，广泛应用于交流电机变频调速和直流电机斩波调速，冶金机械，电力牵引，伺服驱动，变频家电以及各种高性能电源（如UPS、感应加热、电焊机、有源补偿、DC-DC等）、工业电气自动化等领域，有着广阔的市场，一种非常理想的电力电子器件。
1） 开关速度快。IPM 内的 IGBT芯片都选用高速型，而且驱动电路紧靠 IGBT芯片，驱动延时小，所以 IPM 开关速度快，损耗小。
2） 低功耗。IPM 内部的 IGBT 导通压降低，开关速度快，故 IPM 功耗小。
3） 快速的过流保护。IPM 实时检测 IGBT 电流，当发生严重过载或直接短路时，IGBT将被软关断，同时送出一个故障信号。
4） 过热保护。在靠近 IGBT 的绝缘基板上安装了一个温度传感器，当基板过热时，IPM内部控制电路将截止栅级驱动，不响应输入控制信号。
5） 桥臂对管互锁。在串联的桥臂上，上下桥臂的驱动信号互锁。有效防止上下臂同时导通。
6） 抗*力强。优化的门级驱动与 IGBT 集成，布局合理，无外部驱动线。
7） 驱动电源欠压保护。当低于驱动控制电源（一般为 15V）就会造成驱动能力不够，增加导通损坏。IPM自动检测驱动电源，当低于一定值超过 10?s时，将截止驱动信号。
8） IPM 内藏相关的外围电路。缩短开发时间，加快产品上市。
9） 无须采取防静电措施。
10） 大大减少了元件数目。体积相应小。
三、IPM模块的参数
IPM 的数据手册分为三个部分：
（1）大额定值（在任何情况下都不能超过的极限值）- maximum ratings
（2）电气特性，热特性和机械特性（供技术人员设计时参考）- characteristics（electrical, thermal,mechanical）
（3）*工作条件（适用于大多应用）- recommended operating conditions
| 参数 | 表示 | 解释 | 其他 |
逆 变 部 分 | VCC | 供电电压 | 加于 P-N 之间的大直流母线电压 | Freewheelingdiode （FWD） 续流二极管：电路中起到续流的作用，一般选择快速恢复二极管或者肖特基二极管来作为“续流二极管”，在电路中一般用来保护元件不被感应电压击穿或烧坏，以并联的方式接到产生感应电动势的元件两端，并与其形成回路，使其产生的高电动势在回路以续电流方式消耗，起到保护电路中的元件不被损坏的作用。 |
VCC （pp） | 供电电压峰值 | 加于 P-N 之间的大允许开关浪涌 | ||
VCES | 集电极-发射极电压 | 关断时集电极到发射*允许峰值电压 | ||
±IC | 集电极电流 | TC=25℃时，大允许集电极和 FWD 直流电流 | ||
±ICP | 集电极电流峰值 | TC=25℃时，大允许集电极和 FWD峰值电流 | ||
PC | 集电极功耗 | TC=25℃时，每一个开关 IGBT 的大允许功耗 | ||
Tj | 结温 | IGBT 结温的允许范围 | ||
制 动 部 分 | VR（DC） | FWD 反向电压 | 续流二极管大允许方向电压 | |
IF | FWD 正向电压 | 续流二极管大允许直流电流 | ||
VD | 供电电压 | 大允许控制电压 | ||
VCIN | 输入电压 | 输入脚 1 和地（C）之间大允许电压 | ||
VFO | 故障输出电压 | FO和地之间大允许电压 | ||
IFO | 故障输出电流 | FO的大允许电流 | ||
总 系 统 | VCC（PROT） | 受OC和SC保护的供电电压 | 受 OC 和 SC 保护时，P-N 之间的大允许母线电压 |
|
TC | 模块外壳的工作温度 | 基板大允许壳温 |
| |
Tstg | 存储温度 | 不加电压电流时保存温度 |
| |
viso | 绝缘耐压 | 基板和模块端子之间的大绝缘耐压 |
| |
热 阻 | Rth（j-c） | 结壳之间的热阻 | 每一 IGBT 或 FWD的结壳之间的大热阻 |
|
Rth（c-f） | 接触热阻 | 每一开关单元的外壳和散热片之间的大热阻 |
| |
* 工作条件 | VCC、VD | 主电源电压、控制电源电压 | *的直流母线电压和控制电源范围 |
|
VCIn （ON） | 输入开通电压 | *的 IPM 开通的输入电压范围 |
| |
Vcin（off） | 输入关断电压 | *的 IPM 关断的输入电压范围 |
| |
F pwm | PWM输入频率 | *的PWM 频率输入范围 |
| |
Tdead | 死区时间 | 上下臂信号间延迟时间 |
|
电气特性部分
逆变和制动部分 | VCE（sat） | 饱和压降 | 在规定条件下，IGBT 的通态电压 |
|
VEC | FWD正向电压 | FWD正向电压 |
| |
ton | 开通时间 |
|
| |
Trr | FWD恢复时间 |
|
| |
Tc（on） | 开通过度时间 | 规定条件下，感性负载的开关时间 |
| |
Toff | 关断时间 |
|
| |
Tc（off） | 关断过度时间 |
|
| |
ICES | 集电极-发射极截止电流 | VCE=VES 和规定条件下，断态集电极-发射极电流 |
| |
控制部分 | VD | 供电电压 | 开关运行时，控制电源电压 |
|
ID | 电路电流 | 待机时控制电源只电流 |
| |
VCIN（on） | 输入开通电压 | 小于此值则使 IPM 开通 |
| |
VCIN（OFF） | 输入关断电压 | 大于此值则使 IPM 关断 |
| |
F（pwm） | 载波频率 | 变频器的 PWM 运行范围 |
| |
T（dead） | 死区时间 | 为防止直通的延时信号 |
| |
OC | 过流动作数值 | 使过流保护的集电极电流 |
| |
SC | 短路动作数值 | 使短路保护的集电极电流 |
| |
Toff | 过流延迟时间 | 超过 OC到过流保护的时间 |
| |
Ot | 过流保护数值 | 过流动作的基板温度 |
| |
Otr | 过流复位条件 | 为使过热故障复位必须降至此值以下 |
| |
Uv | 控制电源欠压条件 | 使欠压保护的控制电源电压 |
| |
Uvr | 控制电源欠压复位条件 | 为使欠压故障复位必须使电压超过此值 |
| |
Ifo（H） | 故障输出无效 |
|
| |
Ifo（L） | 故障输出有效 | 低电平有效 |
| |
Tfo | 故障输出的脉宽 | 脉冲宽度 |
| |
Vsxr SXR | 输出端子 | 用于驱动光耦的电压 |
| |
VD | 供电电压 | 大允许控制电压 |
| |
VCIN | 输入电压 | 输入脚 1 和地（C）之间大允许电压 |
| |
VFO | 故障输出电压 | FO和地之间大允许电压 |
| |
IFO | 故障输出电流 | FO的大允许电流 |
|
IPM模块的选用：根据 IPM 的过流值确定峰值电流。举例：电机大的瞬态值是： IC（峰值）=P*OL*√2*R P=电机功率的额定值；OL=变频器大过载因数η*PF*√3*VAC R=电流脉动因数； η=变频器效率； PF=功率因数； VAC=线电压表定值；
第二：适当的热设计保证结温永远小于 150℃
可选IPM |
|
|
|
|
|
| 应用 | 价格 |
SD05M50 | 500V/5A三相 | RDS(ON=1.4Ω | MOSFET | 内置HVIC，含低压保护 | 3/5V CMOS/TTL接口兼容 | 电绝缘能力1500Vrms/Min | 功率<120W | 50 |
SD02M50 | 500V/2A三相 | RDS(ON=2.8Ω | MOSFET | 内置HVIC，含低压保护 | 3/5V CMOS/TTL接口兼容 | 电绝缘能力1500Vrms/Min | 功率<60W | 50 |
SD18M10 | 100V/10A三相 | RDS(ON=100mΩ | MOSFET | 内置HVIC，含低压保护 | 3/5V CMOS/TTL接口兼容 | 电绝缘能力1500Vrms/Min | 功率<150W |
|
SD08M60 | 600V/8A三相 | RDS(ON=1.2Ω | MOSFET | 内置HVIC，含低压保护 | 3/5V CMOS/TTL接口兼容 | 电绝缘能力1500Vrms/Min | 功率<300W |
|
SD20M60 | 600V/20A三相 | DBC技术，热阻极低 | IGBT | 内置HVIC可采用单驱动电源 | 内置欠压和短路保护 | 内置门级驱动和功率器件保护用控制IC | 功率1100W |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
企业 | 士兰 | 佛山晶品 |
|
|
|
|
|
|
补充：SD05M50、SD02M50、SD18M10、SD08M60、SD20M60：三个分开负直流链路端用于逆变器电流感应，
HVIC：内置高压集成电路
| Flexitallic | Sigma 511 | 德国 | 3926901000 | 密封件 | 用途：机械密封用，材质：聚四氟乙烯塑料 |
| JUST | 58W | 德国 | 8539319900 | 荧光灯管 | 用途：照明灯具用，类型：热阴极荧光灯管 |
| JUST | 36W | 德国 | 8539319900 | 荧光灯管 | 用途：照明灯具用，类型：热阴极荧光灯管 |
| LUDISWISS | 76.9834.16 | 德国 | 7612909000 | 称重盒 | 用途：天平上盛装称重产品用，材质：铝合金，种类：盒，规格0.12ML, |
| CONATEX | T014797 | 德国 | 9025191000 | 温度传感器 | 原理：利用铂电阻测量原理测量液体温度，应用于工业温度测量装置中 非液体的/不可直接读数 |
| schmidt+sohn | DL2 1104 RT 230012 | 德国 | 8501520000 | 电机 | 用途：吸尘器用，功率1200W,三相交流电机 |
| Bürkert | 567206 | 德国 | 9026100000 | 流量计 | 功能：检测流量，检测对象：液体 |
| MAHLE | 77687726 | 德国 | 8421999090 | 滤芯 | 用途：适用于MAHLE牌HR过滤器，材质：钢铁+玻纤 |
| SUCO | 0184-45803-03-042 | 德国 | 9026209090 | 压力传感器 | 压力传感器 |
| TBI 100/212.166 -20...60 °C | |||
| MEX5-D30.B22 | |||
| IWD AI 898 DC250V 50K UHAC45-400HZ 127V | |||
| G0355.077C373 | |||
| GI356.B703123 | |||
| ISI30.010AA01 | |||
| PMH 1:GROSSBUCHSTABEN R | PMH 1:GROSSBUCHSTABEN R | ||
| IVS IK8701.12 DC220/230V | |||
| EML-RM (24X4)R CUS | EML-RM (24X4)R CUS | ||
| DSRC ST350M | |||
| AS-RMS 80 PGN/PZN-plus 64/80 | |||
| ITD 70 A 4 Y 9 1024 H BI D2SR12 S 65 | |||
| SNO BD5935.48/61 DC24V | |||
| G25.170A122 | |||
| DRO 80/323.111/-1..24B R13B1 | |||
| TSSE100/211.164/60°C EK8021/8804/738C | |||
| ZBF10,QR:FORTL.ZAHLEN 31-40 | ZBF10,QR:FORTL.ZAHLEN 31-40 | ||
| 2.3705/33INDUKTIVER SENSOR | |||
| GI356.B72C315 | |||
| ZBF 5,LGS:FORTL.ZAHLEN 141-150 | ZBF 5,LGS:FORTL.ZAHLEN 141-150 | ||
| FSL 500C6Y00 | |||
| 2.2610/06/SEEINWEGLICHTSCHRANKE | |||
| SAC-5P-MS/2,0-923/FS CAN SCO | SAC-5P-MS/2,0-923/FS CAN SCO | ||
| MRIE MK9053/013 AC1-10A AC230V 1S |
在系统设计的目的之一是将系统分解成为一些相对独立、功能单一的模块。耦合和内聚这两个概念就是度量模块独立性、衡量模块划分质量的重要概念。
耦合表示模块之间的程度，有数据耦合、控制耦合、非法耦合等方式。数据耦合是一种较好的耦合方式。
内聚是用来表示模块内部各组成成分之间程度的概念，有巧合内聚、逻辑内聚、过程内聚、通信内聚、顺序内聚、功能内聚等方式，其中巧合内聚的性能好。
一个合理的模块划分，应该是内部强，模块间尽可能独立，接口明确、简单，有适当的共用性，即满足“耦合小，内聚大”的原则。“高内聚，低耦合”主要是阐述的面向对象系统中，各个类需要职责分离的思想。
松耦合类与类之间的关系而定，低，意思是他们之间的关系要简单，明了，不要有很强的关系，不然，运行起来就会出问题。一个类的运行影响到其他的类。松耦合是合乎要求的:它意味着对象彼此之间更独立的工作.低耦合小化了修改一个类而导致也要修改其它类的"连锁反应".
高内聚：类内部的方法而言。把程序的功能尽量分散，别在一个类里只写一个或很好的方法，因为那样会给你的调试等带来很多问题。出了错你都不知道在什么地方。高内聚是值得要的,因为它意味着类可以更好地执行一项工作.
强内聚松耦合是软件设计的一个基本原则，说的是在程序的各各模块中，尽量让每个模块独立，相关的处理尽量在单个模块中完成，就是俗话说的：该干嘛干吗去！ 优点：能提降低各模块的之间的，减少“牵一发而动全身”的几率，提高开发效率，降低升级维护成本，也便于进行单元测试，提高软件质量。
内聚是一个模块内各元素彼此结合的紧密程度。
耦合：一个软件结构不同模块之间互联程度的度量。
低耦合”给软件项目带来的优点是：易于变更、易于重用
环保在线