当前位置：深圳维尔克斯光电有限公司>>非线性晶体>>硫族化合物晶体

硫族化合物晶体

返回列表页

参考价

面议

具体成交价以合同协议为准

产品型号

品牌

厂商性质其他

所在地

在线询价收藏产品查看联系电话

更新时间：2024-02-07 12:58:06浏览次数：55次

联系我时，请告知来自环保在线

产品分类 品牌分类

  非线性晶体

全部产品列表

暂无信息

深圳维尔克斯光电有限公司

经营模式：其他

商铺产品：648条

所在地区：

询价 给他留言

产品简介

Badikov's Crystals在大尺寸硫化物晶体的领域方面具有许多优势，主要涉及HgGa2S4晶体，BaGa4Se7，BaGa4S7，AgGaS2，AgGaSe2等高质量激光晶体

详细介绍

Badikov大尺寸硫化物晶体，硫族化合物晶体

BaGa4Se7晶体

采用Bridgman-Stockbarger方法在实验室中生长了BaGa4S7(BGS)晶体，获得了其含Se的类似物BaGa4Se7(BGSe)，其尺寸大到足以测量色散系数和折射系数，这是预测相位相互作用特性的先决条件。

BaGa4Se7晶体结构与物理特性

结构与物理特性
晶格对称性	单斜
空间群	P_C
熔点（℃）	1050
光学均匀度（折射率偏差）	Δn=1*10^-4
吸收系数（cm^-1）	<0.005
晶胞参数（Å）	a=7.62，b=6.51，c=14.70，β=121，2⁰
光学与非线性特性
透射谱范围（μm）	0.47~18
能隙（eV）	2.64
非线性系数	d₁₁=18.2 pm/V d₁₃=20.6 pm/V
双折射率	Δn=0.08 @1μm

BaGa4Se7晶体规格参数

尺寸规格	晶向
BaGa4Se7柱状晶体
6×6×15	Type II，φ=5.8°，θ=90°
8×8×25	Type II，φ=33.5°，θ=90°
10×9×20	Type I，φ=43.3°，θ=0°
12×12×35	Type I，φ=46.46°，θ=0°
BaGa4Se7平板晶体
5×5×1	Type I，θ=40.7°，φ=0°
8×8×1	Type I，θ=46.46°，φ=0°
12×12×1	Type I，θ=43.3°，φ=0°

BaGa4Se7晶体工艺公差表

公差类型	参数
通光孔径公差	+0.1/-0 mm
厚度公差	+0.1/-0 mm
角度公差（φ和θ）	+/-30 arcmin
垂直公差	15 arcmin
孔径倒角	0.1~0.3mm
平行度	<120 arcsec
平整度	<λ/6@633nm
面型精度	30/20，S/D
轴向	±0.5°，@所有轴

Badikov的晶体实验室具有50多年的硫族化合物晶体的生产经验，以及超过30年的非线性激光晶体，硫化物非线性晶体的商业供应经验。团队已开发出的培养技术，大型高质量晶体已准备好用于商业供应：BaGa₄Se₇，BaGa₄S₇，BaGa₂GeSe₆，BaGa₂GeS₆，Ba₂Ga₈GeS₁₆。Badikov是大尺寸HgGa₂S₄晶体的制造商。您也可以订Hg_1-xCd_xGa₂S₄晶体。还生长了以下具有高光学质量的元素：Ag₃AsS₃，Ag₃SbS₃，AgGaS₂，AgGaSe₂，AgGa_1-x In_xS₂，AgGa_xIn_1-xSe₂，AgGaGeS₄，AgGaGe₅Se₁₂，HgGa₂S₄，Hg_1-xCd_xGa₂S₄，PbIn₆Te₁₀，PbGa₆Te₁₀，Pb_1-xCa_xIn₆Te₁₀，Tl₄HgI₆，PbGa₂GeSe₆，GaSe等。团队可以根据用户的研究任务，对单晶生长技术的发展进行研究，并合成任何数量的硫化物晶体。我们一直在寻找和开发新的晶体。现在已经生长出了尚未研究或尚未研究的晶体，例如：HgIn₂Se₄、HgIn₂S₄、Fe₂In₂Te₅、Fe₂Mn₂Se₅。

AgGaS2晶体简介

AgGaS2晶体是常见的硫化物晶体，通常用来二倍频和三波混频。用适合的光源进行泵浦，基于这类硫化物非线性晶体的参量振荡可以产生光谱范围1~10微米的波长连续可调谐的激光。高质量的非线性晶体AgGaS2和其较长的尺寸使实现高转换效率变得可能。用掺Nd的YAG激光器（1064nm）的单皮秒脉冲泵浦AgGaS2的参量发生已被证实覆盖了2.2~7.4微米范围。由于非共线双晶结构，比之前报道过的（在该光谱范围用皮秒脉冲泵浦的光学参量振荡）更高的转换效率已经可以实现了。而且基于单个的AgGaS2晶体的双通的OPO也实现了。该器件与双晶OPO相比，在不损失转换效率的情况下具有一定优势。

AgGaS2晶体参数表

物理结构特性
晶格对称性以及点群	四方晶系，D_2d
空间群	D¹²_2d
晶胞参数（晶格特征参数）（Å）	a=5.742，c=10.305
熔点（℃）	980
晶体光学均匀性（折射率偏差）	Δn<1*10^-4
密度（g/cm3）	4.58
吸收系数（cm-1）	<0.005
光学与非线性光学特性
光学传输范围（μm）	0.47到12.5
能隙（eV）	2.8
各向同性波长（μm）	0.497
折射率（实测值）
λ（μm） n	n_o	n_e
0.53	2.6148	2.6145
0.65	2.5417	2.4941
1.064	2.4489	2.3952
2.0	2.4131	2.3594
10.6	2.3449	2.2908
损伤阈值
（τ=10 ns，λ=1.06 μm），20 MW/cm²
非线性光学系数
d36（10.6μm）=0.15d36（GaAs）= 13.4 pm/V dooe = d36sinθsin2φ deoe = doee = d36sin2θcos2φ
色散方程（Sellmeier equations，λ in μm）
no2 = 4.4368659+541.97177/（400+λ²）- 0./（0.-λ²） ne2 = 4.1704137+550.23080/（400+λ²）- 0./（0.-λ²）
使用AgGaS2的实验结果
泵浦激光：1.06 μm 30ps锁模激光输出波长：4~10 μm 量子转换效率（%） 2.8 （λ=5.2 μm） 1.6 （λ=6.3 μm） 0.6 （λ=7.1 μm）

HgGa2S4晶体简介

我们在生长HgGa2S4硫化物晶体等非线性晶体方面占有地位。高的激光损伤阈值和高转换效率使得这些晶体可以用于1.0~10 um的波长范围内的倍频和OPO/OPA。据证实，CO2激光器用4mm长的HgGa2S4晶体进行二倍频的量子转换效率为10%（脉宽30ns，辐射功率密度60MW/cm²）。高转换效率和宽波长可调谐发射谱使得HgGa2S4

具有与AgGaS2，AgGaSe2，ZnGeP2和GaSe晶体竞争的实力，尽管生长大尺寸的HgGa2S4具有一定难度。

HgGa2S4参数表

物理结构特性
晶格对称性以及点群	四方晶系，S₄
空间群	S²₄
熔点（℃）	880
密度（g/cm3）	4.95
光学与非线性光学特性
光学传输范围（μm）	0.5到12.5
能隙（eV）	2.84
折射率（实测值）
λ（μm） n	n_o	n_e
0.5495	2.6592	2.5979
0.6500	2.5796	2.5264
1.0760	2.4774	2.4324
3.5400	2.4386	2.3979
11.000	2.3690	2.3290
损伤阈值
τ=10 ns，λ=1.06 μm（单脉冲），60 MW/cm² τ=18 ns，λ=1.064 μm，ν=10 Hz，30 MW/cm²
非线性光学系数
d36（1.064μm）=1.8d36（AgGaS2）±15% = （35.2±5.3）pm/V d31（1.064μm）=0.6d36（AgGaS2）±15% = （11.7±1.8）pm/V d36 /d31 = 3 dooe = d36sinθsin2φ+ d31sinθsin2φ，φopt=36° deoe = doee = d36sin2θcos2φ- d31sin2θcos2φ，φopt=81°
色散方程（Sellmeier equations，λ in μm）
no2 = 6.2081522-63.706298/（225.0-λ²）- 0./（0.-λ²） ne2 = 6.0090267-63.280659/（225.0-λ²）- 0./（0.-λ²）
使用HgGa2S4的实验结果
用于CO2的激光器（τ=30ns，功率密度60 MW/cm²，L=4 mm）的量子转换效率（%）为10

AgGaS2/HgGa2S4晶体工艺公差表

公差类型	参数
通光孔径公差	+0.1/-0 mm
厚度公差	+0.1/-0 mm
角度公差（φ和θ）	+/-30 arcmin
垂直公差	15 arcmin
孔径倒角	0.1~0.3mm
平行度	<120 arcsec
平整度	<λ/6@633nm
轴向	±0.5°，@所有轴

AgGaS2/HgGa2S4晶体规格

晶体类型	尺寸	θ	φ	是否镀膜	价格
AGS	5×5×1mm	39°	45°	依据合同	-
HGS	5×5×1mm	43.5°	45°	依据合同	-
AGS	6×6×2mm	50°	0°	依据合同	-
HGS	6×6×2mm	55.8°	0°	依据合同	-
AGS	8×8×1mm	39°	45°	依据合同	-
HGS	8×8×1mm	43.5°	45°	依据合同	-