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硅基底石墨烯(1*1'' 单层)

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产品型号1*1'' 单层

品       牌

厂商性质其他

所  在  地上海

更新时间:2024-02-09 16:22:37浏览次数:34次

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产品简介

简要描述:硅基底石墨烯(1*1'' 单层) Graphene on Si表面电阻:小于600Ω/sq定做:<300Ω/sq透明度:gt; 95%制备方法:1)采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯2)石墨烯从铜转移到硅衬底

详细介绍

硅基底石墨烯(1*1'' 单层) Graphene on Si
表面电阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制备方法:
1)采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2)石墨烯从铜转移到硅衬底

硅基底石墨烯(1*1'' 单层) Graphene on Si
表面电阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制备方法:
1)采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2)石墨烯从铜转移到硅衬底

硅基底石墨烯(1*1'' 单层) Graphene on Si
表面电阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制备方法:
1)采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2)石墨烯从铜转移到硅衬底

硅基底石墨烯(1*1'' 单层) Graphene on Si
表面电阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制备方法:
1)采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2)石墨烯从铜转移到硅衬底

硅基底石墨烯(1*1'' 单层) Graphene on Si
表面电阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制备方法:
1)采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2)石墨烯从铜转移到硅衬底

硅基底石墨烯(1*1'' 单层) Graphene on Si
表面电阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制备方法:
1)采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2)石墨烯从铜转移到硅衬底

硅基底石墨烯(1*1'' 单层) Graphene on Si
表面电阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制备方法:
1)采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2)石墨烯从铜转移到硅衬底

硅基底石墨烯(1*1'' 单层) Graphene on Si
表面电阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制备方法:
1)采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2)石墨烯从铜转移到硅衬底

 


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