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天津瑞利光电科技有限公司
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产品介绍TopGaN正在制造发射光谱范围从400nm到461nm的激光二极管,精度为+/-2nm
TopGaN 正在制造发射光谱范围从 400nm 到 461nm 的激光二极管,精度为 +/-2nm。也可根据需要提供 +/-1nm 的精度。这些器件采用 5.6 mm (TO-56) 封装的可见光和紫外激光二极管,氮化蓝紫色激光二极管的工作电流密度相对较高,为 5-10 kA/cm2。这些二极管的衰减主要是通过其阈值电流的增加而发生的。
光学输出功率:50mW(Tcase= 20°C)
峰值波长:418 +/- 2 nm @RT
用于 Cw 和脉冲操作的辐射源
单横向模式半导体激光器
产地:波兰
允许反向电流:1 uA
PD 反向电压:5 V
存储温度:- 10 至 85 °C
工作外壳温度:0 至 60 °C
光输出功率:50 mW
峰值波长:418 +/-2 nm
阈值电流:30 至 60 mA
工作电流:90 至 130 mA
温度波长偏移:0.05 nm/deg
光束发散 - 快轴:32 °
光束发散 - 慢轴:7 °
量子技术和传感应用
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