概述
向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时，电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减，此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量，表示施加电压时的抗击穿性。对于那些在元件两端产生较大尖峰电压的应用场合，就要考虑器件的雪崩能量，电压尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定，因此对于反激的应用场合，电路关断时会产生较大的电压尖峰。通常的情况下，功率器件都会降额，从而留有足够的电压余量，但是一些电源在输出短路时，初级会产生较大的电流，加上初级电感，器件就会有雪崩损坏的可能，因此在这样的应用条件下，就要考虑器件的雪崩能量。另外，由于一些电机的负载是感性负载，而启动和堵转过程中会产生*的冲击电流，因此也要考虑器件的雪崩能量。
ENX2020雪崩耐量测试仪是本公司研发设计的测试IGBT、MOSFET、二极管雪崩耐量的专业测试设备，能够准确快速的测试出IGBT、MOSFET、、二极管的雪崩耐量。
西安易恩电气ENX2020 雪崩耐量测试系统，该设备包括：可控直流电源、可选电感、电流传感器、电压传感器、雪崩保护电压、IGBT、MOSFET、二极管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二极管功率型器件保护电路、计算机控制系统、雪崩电压采集系统、雪崩电流采集系统、测试夹具、测试标准适配器、外接测试端口（根据客户需求）等多个部分。
规格/环境要求
电压频率：50Hz±1Hz
环境温度：15～40℃
工作湿度：温度不高于+30℃时，相对湿度5%-80%。
温度+30℃到+50℃时相对湿度5%-45%，无冷凝。
大气压力： 86Kpa～106Kpa
海拔高度：不超过3000米。
尺 寸：800x800x1800mm
质 量：210KG
工作电压：AC220V±10%无严重谐波
系统功耗：320W
通信接口：USB RS232
技术指标
配置 | 测试范围 | 测试参数 | 条件 | 范围 | |
电压 1000V | IGBTs 绝缘栅双极型晶体管 | EAS/单脉冲雪崩能量 | VCE | 20V-4500V | 20-100V±3%±1V 100-1000V±3%±5V 1000-4500V±3%±10V |
电流 200A | MOSFETs MOS场效应管 | EAR/重复脉冲雪崩能量 | Ic | 1mA-200A | 1mA-100mA±3%±0.1mA 100mA-2A±3%±5mA 2A-200A±3%±50mA |
| DIODEs 二极管 | IAS/单脉冲雪崩电流 | Ea | 1J-2000J | 1J-100J±3%±1J 100J-500J±3%±5J 500J-2000J±3%±10J |
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| PAS/单脉冲雪崩功率 | IC检测 | 50mV/A（取决于传感器） | |
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| 感性负载 | 10mH、20mH、40mH、80mH、100mH | |
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| 重复间隙时间 | 1-60s可调（步进1s）重复次数：1-50次 | |
