日本2ω法纳米薄膜导热仪TCN-2ω
该装置是目前世界上唯yi使用2ω法测量纳米薄膜厚度方向热导率的商用装置。与其他方法相比，样品制作和测量更容易。
用
量化低K绝缘膜的热阻，用于半导体器件的热设计
绝缘膜的开发与散热的改善
热电薄膜应用评价
特征
可以测量在厚度方向上形成在基板上的 20 到 1000 nm 的薄膜的热导率。
使用热反射法通过温度幅度检测实现测量
测量样品的简单预处理
规格
| 测量温度 | 转播时间 |
|---|---|
| 样品尺寸 | 宽度 10 毫米 x 长度 10 至 20 毫米 x 厚度 0.3 至 1 毫米（板） |
| 测量气氛 | 在真空中 |
测量原理
论文“绝热边界条件下2ω法评估薄板样品的热导率”
当以 f/Hz 的频率加热金属薄膜时，加热量以 2 f/Hz 的频率变化。
金属薄膜(0)-薄膜(1)-衬底(s)三层体系中金属薄膜表面的温度变化T(0)在热扩散条件下是一维的充分通过金属薄膜/薄膜，下面的公式用于表示传热模型的解析解。
(Λ: 导热系数 W m -1 K -1 , C: 体积比热容 JK -1 m -3 , q: 每体积热量 W m -3 , d: 厚度 m, ω: 角频率 (= 2πf) / 秒-1 )
由于实数解（同相幅度）包含薄膜的信息，因此在相同条件下在不同频率下进行测量时，同相幅度与（2ω）-0.5成正比。
薄膜的热导率λ 1由下式获得。
（M：斜率，n：截距）
TCN-2ω示意图
TCN-2ω对SiO 2薄膜的测量结果
薄膜的评价
测量样品
