射频辉光放电光谱仪GD-OES
射频辉光放电光谱仪可以检测导体、非导体、半导体薄/厚膜中70多种元素随镀层结构和深度的变化。射频辉光放电光谱仪的分析速度达-10 nm/s,可检测元素浓度范围从ppm到1,深度分辨率小于1 nm。操作简单,无需制样,还可为SEM制备样品。常用于镀层结构、层间元素扩散、表面处理等研究。
射频辉光放电光谱仪的典型应用:LED外延片、太阳能电池、半导体芯片、渗氮渗碳、钢铁、腐蚀等多个领域
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