MOSFET用驱动电源R3系列产品介绍
随着新能源汽车和光伏行业不断发展，半导体器件的应用不断扩宽，IGBT/SiC MOSFET作为充电桩设备、光伏SVG系统中的关键半导体器件组成部分，市场对其应用条件和性能提出了更高的要求，随之也带来了对驱动方案的高要求。
金升阳基于自主电路平台、IC平台、工艺平台，升级开发IGBT/SiC MOSFET用第三代驱动电源QA-R3/QA_C-R3系列产品。同时为满足更加严苛的应用需求，打造了全新的爬电距离满足1700V系统电源应用的驱动电源QA_H-R3/QA_HC-R3系列产品，以期为客户提供更优质的电源解决方案。
MOSFET用驱动电源R3系列产品优势
1、5000VAC高可靠隔离电压,满足加强绝缘
R3系列驱动电源产品基于自主IC设计平台，隔离电压高达5000VAC，远优于市场上常规产品（3750VAC），且满足加强绝缘设计要求，整体可靠性得到极大提升。
2、满足1700VDC长期绝缘要求（使用1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET）
作为现阶段主流的半导体器件，市面上IGBT/SiC MOSFET多为中低压应用，应用电压为650V/900V/1200V/1700V；R3系列驱动电源基于IEC-61800-5-1标准要求，实现长期绝缘电压（持续放电）满足1700V，应用范围覆盖1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET器件；其中QA_H-R3/QA_HC-R3更是满足了爬电距离>14.14mm。
3、多项性能指标提升
R3系列驱动电源相较于R1系列产品，整体性能也进行了优化提升
<1>效率提升：80%→87%
<2>纹波下降：75mVpp→50mVpp
<3>强带载能力：220uF→2200uF
<4>静电性能提升：±6kV→±8kV
<5>隔离电容降低：6.6pF→3.5pF
产品应用
作为IGBT/SiC MOSFET用驱动电源，在产品应用上与IGBT/SiC MOSFET应用重合，可用于光伏逆变器、电机驱动、充电桩等多种场合中IGBT/SiC MOSFET器件的驱动；已光伏SVG系统为例，可配合驱动芯片来共同驱动后端的IGBT期间，实现系统的有效运行。
产品特点
● 隔离电压5000VAC（满足加强绝缘）
● 长期绝缘：1700VDC
● 效率高达87%
● 超小型SIP封装
● 最大容性负载2200uF
● 超小隔离电容3.5pF(typ.)
● 工作温度范围：-40℃ to +105℃
