Nolay10硅中氧碳含量测定仪
单晶硅材料可以用于制造太阳能电池、半导体器件等，由于其应用领域的特殊性要求其纯度达到99.9999% 甚至更高。在单晶硅生产过程中由原料及方法等因素难以避免的引入了碳、氧等杂质，直接影响了单晶硅的性能。因而需对单晶硅材料中的氧碳含量进行控制。
依据G B/T 1558-2009和G B/T 1557-2006，红外光谱法可以在对单晶硅中代位碳和间隙氧进行定性的同时进行定量测定,具有快速、方便、准确的优点。
原理
利用硅中代位碳原子和间隙氧原子分别在波数607.2cm -1和1107cm -1 有特征吸收，根据吸收峰的吸收系数来确定代位碳原子浓度和间隙氧原子的浓度。
Nolay10硅中氧碳含量测定仪规格参数
光谱范围：7800～350 cm-1
分辨率：优于1.0 cm-1
波数精度：≤0.01cm-1
信噪比：优于15000:1／优于30000:1（P-P值，4cm-1，一分钟扫描） 可选
分束器：KBr基片镀锗（进口）
光源:高能量、高效率、长寿命陶瓷光源（进口）
干涉仪：30度入射角Michelson干涉仪
接收器：带有防潮膜的高灵敏度DLATGS接收器（进口）
数据传输接口：USB2.0（兼容3.0）
支持系统：Windows XP、Windows Vista、Windows 7、Windows 8、Windows 8.1、Windows 10
尺寸:450mm×350mm×235 mm
重量：14Kg
