直线位移传感器 电子行业采用三角法测量原理，利用线阵CMOS器件作为光学接收器件，具有测量精度高、测量时间短等特点，产品光路经过产品设计，成像质量稳定；具有补光技术，适用于工业现场应用。
供电电压
Uv12V DC～24V DC±10%
残余纹波
脉动P-P10%
直线位移传感器 电子行业消耗电流
60mA以下(电源电压12VDC时)
≤40mA以下(电源电压24V DC时)
直线性
±0.1%F.S
±0.2%F.S
外壳材料
铸铝合金(AL)
有机玻璃(PMMA)
连接类型
引线
显示器
4位数码管
2xLED
外壳防护等级
IP67
防护等级
III测量条件如下：电源电压： 24V DC、周围温度：＋20℃、反应时间： 10ms、测量中心距离的模拟输出值。 对象物体：白色陶瓷。 (注2)：根据FDA规则的Laser Notice No.50的规定、并以FDA为基准。 (注3)： 该值为测量中心距离上的值。以中心光强度的1/e2 (约13.5%)定义这些值。 如果定义区域外有光泄漏，并且检测点周围有高于检测点本身的强反射，检测结果可能会受到影响。
性能
TE05
测量中心距离
50mm
测量范围
±1mm
光束直径
约φ50μm
重复精度
2μm
受光元件
CMOS图像传感器
光源
红色半导体激光2级(JIS/IEC/GB)、Ⅱ级(FDA)(注2)
控制输出
〈NPN输出型〉
NPN开路集电极晶体管
流入电流：50mA
外加电压：30VDC以下(控制输出和0V之间)
剩余电压：1.5V以下(流入电流50mA时)
漏电流：0.1mA以下
〈PNP输出型〉
PNP开路集电极晶体管
源电流：50mA
外加电压：30V DC以下(控制输出和＋V之间)
剩余电压：1.5V以下(流入电流50mA时)
漏电流：0.1mA以下
模拟输出
模拟输出·输出范围：0V～5V(正常时)；5.2V(报警时) 输出阻抗：100Ω
输出范围： 4mA～20mA(正常时)； 0mA(报警时)
动作输出
负载阻抗：300Ω ；入光时ON／非入光时ON可切换
短路保护
自动复位式
