快速热处理退火炉简称 RTP（Rapid Thermal Processing Furnace），由我公司借鉴了制造工艺，在管式炉的基础上自主研发而成，不但拥有极快的升温速率100℃/S，而且降温速率也有了质的飞跃，降温速率100℃/S。我们的工程师们巧妙地利用了冷壁工艺，以至于达到如此快的降温速度。真正的极速升温和极速降温！
腔体采用了双层石英管结构，外层管进气，内层管出气，使得反应气氛与加工样品充分而均匀地接触。
加热灯管之所以能够让硅片快速升温，是因为光源波长在0.3-4微米之间，石英管壁无法有效吸收这一波段的辐射，而晶片则正好相反。因此，晶片可以吸收辐射能量快速加热，而此时石英管壁仍维持低温，即所谓冷壁工艺。
应用领域：
Ø 快速热退火 (RTA); 离子注入后退火
Ø 石墨烯等气象沉积，碳纳米管等外延生长
Ø 快速热氧化 (,RTO); 热氮化 (RTN);
Ø 硅化 (Silicidation);
Ø 扩散 (Diffusion);
Ø 离子注入后退火 (Implant Annealing);
Ø 电极合金化 (Contact Alloying);
Ø 晶向化和坚化 (Crystallization and Densification);
主要特点：
Ø 极速升温100℃/S，极速降温100℃/S；
Ø 双层炉管结构，气氛与样品接触更均匀；
Ø 直接测量样品表面温度，测温更精准；
Ø 炉膛根据设置可自动左右移动，可以满足更多的实验应用；
Ø 真空度可达9.8×10-4Pa；
技术参数：
主要技术指标 | 数据 |
产品型号 | RTP1100 |
极限温度 | 1200℃ |
额定温度 | 1100℃ |
控温精度 | ±1℃ |
温场均匀性 | ±2℃ |
升温速率 | 100℃/S |
降温速率 | 100℃/S |
操控系统 | 智能模糊控制 |
操作界面 | 7英寸触摸屏 |
加热方式 | 短波红外线加热 |
加热腔体结构 | 双层管 |
气体流动方式 | 外管进气，内管出气 |
扩充端口 | 可扩充真空测控和FFC供气 |
过载保护 | 电流过大自动切断主回路 |
超温保护 | 温度出现过高时切断主回路 |
传感器类型 | S型单铂铑 |
反应腔室尺寸 | Φ100*200mm |
式样有效空间 | 3.5英寸 |
传感器类型 | 9.8×10-4Pa |
抽气端口尺寸 | KF16（或Φ8mm宝塔嘴） |
供气口尺寸 | Φ6.35mm双卡套（或Φ8mm宝塔嘴） |
| 样品冷却方式 | 风冷 |
法兰冷却方式 | 水冷 |
| 功率 | 15KW |
| 额定电压 | AC 380V，50Hz |
外形净尺寸 | 950*500*560 |
重量 | 约55KG |
