产品介绍：
KJ-T1200-S60K-4C型四路高温真空CVD设备由KJ-T1200滑动式快速退火管式炉+真空系统+供气系统组成 ，温度可以达到1200度，极限真空可以达到10-3Pa，供气系统是流量调节可以是质子流量计，可以对多种气体进行精确的混气，然后导入到管式炉内部。
KJ-T1200-S60K-4C系列快速退火炉炉管两端安装真空法兰，真空度用分子泵可以到10-5Torr，机械泵可到10-3Torr。炉底安装一对滑轨，可用手动滑动。加热和冷却速率可达100°C/m。为取得加热，可以预先加热炉子到设定的温度，然后移动炉子到样品位置。为获得冷却，可在样品加热后移动炉子到另一端。加热和冷却速率在真空或者惰性气体环境下可以达到10°C/s，是低成本快速热处理的理想炉子。
应用范围：
化学气相沉积(CVD)是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用广泛的用来沉积薄膜材料的技术，包括大范围的绝缘材料，以及大多数金属材料和金属合金材料、二维材料等，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。是高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、气氛还原、CVD实验、真空退火用的理想产品。
规格参数：
| 产品名称 | 四路高温真空CVD设备 | |
| 产品型号 | KJ-T1200-S60K-4C | |
| 工作温度 | 1100°C | |
| 温度 | 1200°C | |
| 加热速率 | 建议：0- 10°C/min {：0-20℃/min} | |
| 加热区 | 三温区 | |
| 加热区长度 | 200+350+200mm | |
| 控温精度 | ±1°C | |
| 炉管直径 | OD60mm | |
| 炉管长度 | 大约1200mm-1400mm | |
| 真空法兰 | 两个不锈钢密封法兰，法兰上已经安装数字式真空显示计，和阀门通过机械泵真空压力可以达到5x10-2 torr，泄漏率6 mtorr/min | |
| 温控 | 智能PID多段程序控温 | |
| 加热曲线 | 30段可编程 | |
| 功率 | 4KW | |
| 电压 | 220V，50HZ，单相 | |
| 质子流量计 | 4路精密质子流量计：数字显示、气体流量自动控制。 MFC 1范围: 0~100 sccm MFC 2范围: 0~200 sccm MFC 3范围: 0~200 sccm MFC 4范围: 0~500 sccm 气路:4路 流量精度: 0.2% 进气和出气接口: 1/4" 卡套 一个混气罐。 每路气路都有一个独立的不锈钢针阀控制。 通过控制面板上的旋钮来调节气体流量。 | |
标准配件：
质子混气系统1台、双旋机械泵1台、K型热电偶1支、气炼石英炉管1根、不锈钢法兰1套、不锈钢炉钩1、刚玉炉塞2对、高温手套1副、刚玉坩埚2个、氢气检漏器1个、说明书1份
注：坩埚可按用户需求选配合适的款型
1、我公司对所供设备提供质保一年保修服务（易损件除外），在保修期内因设备质量原因造成的设备损坏或故障，均予以免费维修。保修期满后，仍提供终身的、优质的维修服务。
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4、我公司技术人员可提供(产品安装调试、整机维护、技术讲解及操作指导等)。
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