产品概述
反应离子刻蚀机 Etchlab 200 是研发用干法刻蚀工艺的基本型和经济型设备，可逐步升级到完整的反应离子刻蚀设备 RIE、适用于所有工艺气体和工艺要求。
Etchlab 200 具有模块化设计、工艺稳定性、使用简便，直接放置晶圆。Etchlab 200 适用于广泛的刻蚀工艺，例如刻蚀硅、氧化硅、金属、三五族化合物和聚合物。
单晶片反应腔室内的经过长期验证的模块可满足各种要求、包括繁重的刻蚀任务。按照的刻蚀任务和等离子体化学气体要求，反应腔室可配置不同的气体系统。设备所有的重要参数均为自动控制。
下电极可容纳直径 4 吋到 8 吋的晶圆。下电极水冷、或通过可选的循环冷却器将温度控制在 10°C 到80°C。下电极的 13.56 MHz 射频功率源产生等离子体（RIE 模式）。不同的等离子阻抗自动匹配到射频发生器的 50 欧姆输出。产生等离子体的同时，加载到下电极上的 13.56 MHz 射频功率同时产生一个直流自偏压。直径 100 mm 到 200 mm 的晶圆直接放置在下电极上。
真空系统包括涡轮分子泵和机械前级泵、符合 RIE 工艺所需的压力-流量要求。自动节流阀保持反应腔体内的压力、独立于气体流量。质量流量计（MFC）提供高稳定的气流。这样就能达到精确和可重复的刻蚀条件。
系统具备*的硬件和软件控制系统，采用客户机-服务器结构。成熟、可靠的远程现场控制器（RFC）通过串行现场总线（Interbus）、实时控制所有部件。基本的安全互锁由该 RFC 实现。
