一.应用行业概述
作为第二代半导体，砷化镓单晶因其价格昂贵而素有“半导体贵族”之称。砷化镓被广泛应用于遥控、手机、DVD计算机外设、照明等诸多光电子领域。另外，因其电子迁移率比硅高6倍，砷化镓成为超高速、超高频器件和集成电路的必需品。用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点,被广泛使用于军事领域，是激光制导的重要材料.
二.应用领域特性
高温是砷化镓生成所必须条件，因而砷化镓生长炉加热电源及配套的特种电炉变压器是设备关键，我公司配套的砷化镓生长炉专用大电流分相可控变压器和大电流水冷分相可控变压器能够满足全系列电源要求，单机满载参数3KA-10KA/10VAC-30VAC。
三．产品特性
1.产品概述，本公司生产的DGS、DGSF系列变压器，采用分相控制结构，满足更加精确和更大范围的分区控温要求。
2.性能特点
2.1电气性能稳定：结合行业应用特点优化设计方案。精确的电气参数设计和科学的结构设计，保证产品的电气性能优良，高压线圈采用线绕结构，低压线圈箔绕结构，采用轴向多风道结构，降低通风阻力，保证高效的通风和散热。
2.2动稳定程度高：产品采用铜带绕组或者铜板绕组，有的机械强度，具有较强的抗突发能力，以满足极恶劣的负载环境。
2.3热稳定性好：*仿真计算，优化产品的发热部位及最热点温升，留有充分的温升裕度，选用进口杜邦公司N0mex-T410绝缘材料，保证产品绝缘和耐温的高可靠性。采用30Q120高导磁硅钢片，同时采用*的多级步进多级叠片方式，有效降低了空载损耗、空载电流和噪声。在设计、制造过程中较好地消除了变压器大电流漏磁涡流引起局部发热问题，产品具有的可靠性。
2.4过载能力强：产品具有较强的过负载能力和过电压能力，产品设计、制造充分考虑用户工业电网和负载特性，电气性能、温升、绝缘耐压及附件选择等各方面均满足一定的过载要求。
2.5性能指标优越：空载电流、损耗指标制造值低于同容量国标系列变压器，充分考虑用户使用的经济性和可靠性，分相控制技术可以实现多温区大范围控温，减少谐波发生，减少电压不平衡度，不破坏公共电网质量。
2.6 采用铜带绕组的通用立式结构或者铜板绕组的低器身结构，可根据客户要求对变压器采用“三防漆”处理（防盐雾、防湿热、防霉菌），装饰性好，耐腐蚀性、保光性、保色性较好，有良好的流平性和遮盖力，结构简化，外形美观。
2.7变压器配温度保护装置，由高集成度、带总线通讯的高可靠开关电源模块等部件组成。是用于测量、控制、保护、通讯为一体化的一种经济型保护。
四.参考引用标准
1.GB1094.1－2013；电力变压器总则
2.GB1094.3-2013；绝缘水平、绝缘试验和外绝缘空气间隙
3.GB1094.11-2007；干式变压器
4.JB-T 8636-1997 ；电力变流变压器
5.JB-T 8636-1997 ；电力变流变压器
6.GBT21419-2013；变压器、电抗器、电源装置及其组合的安全 电磁兼容要求
7.GBT10228-2008；干式电力变压器技术参数和要求
8.GB3859.3-1993; 半导体变流器 变压器和电抗器
9.JB/DQ2113－1984；电化学用整流变压器
五.技术数据
1.使用条件
1.1海拔高度：不超过2000米,2000米以上每升高100米降额1%，3000米
1.2户内相对湿度：日平均≤95%，月平均≤90%
1.3环境温度：+40℃，40℃以上降额使用
1.4环境温度：-25℃
1.5系统额定频率：50-60Hz
1.6安装场所：户内柜内
1.7储存温度：-40℃-+70℃
1.8盐雾：≤0.5mg/m3
1.9机械活性物质：沙≤300mg/ m3,尘（漂浮）≤0.4mg/ m3, 尘（沉积）≤350mg/m2/天
1.10地面水平加速度与垂直加速度：≤0.25g /0.125g
2.外形尺寸图
3.主要参数和外形尺寸表
