日本microphase卧式CNT/石墨烯合成装置MPCVD-Graphene
目的：这是用于合成石墨烯薄膜的管式炉（50mmφ）型热CVD设备。
特征
配备炉膛滑动机构，可快速加热/冷却样品
三系统质量流量气体流量控制系统，实现精准气体控制
紧凑坚固的外壳设计，易于安装在桌面实验室工作台等。
[选项] 可增加电机驱动的自动滑动功能。
[选项] 通过增加涡轮排气泵，可以沉积更高质量的石墨烯。
[选项] 可将热电偶传感器引入炉内，直接监测样品温度。
基板的快速冷却据说是通过使用碳氢化合物气体（CH4 和 C2H2）的 CVD 方法在催化剂基板（Ni、Cu 等）上生长石墨烯薄膜的重要因素之一。
该装置配备了仅允许加热部分滑动而炉芯管保持原样的机构。这种滑动机构允许炉子的热区快速从样品位置移开，从而使样品快速冷却。此外，通过安装可选的高真空排气系统，可以轻松沉积更大面积的单层石墨烯薄膜。
使用高真空泵系统（可选）沉积的单层石墨烯/Ni 的拉曼光谱
日本microphase卧式CNT/石墨烯合成装置MPCVD-Graphene
规格
| 基本配置 | 管式炉 | 正常使用温度 | 400-1000℃ |
| 炉内尺寸 | 60mmφ×L260mm | ||
| 温度控制 | 1区可编程温度控制器 | ||
| 外形尺寸 | W300mm x H200mm x D186mm | ||
| 电容 | 700W | ||
| 芯管 | 材料 | 石英 | |
| 尺寸 | OD50mm x ID46mm x L1200mm | ||
| 气体控制 | 质量流量控制器 | ||
| 引入气体类型 | 载气：N2或Ar 还原气体：H2 碳氢化合物气体：C2H2 或 C2H4 或 CH4 | ||
| 真空计 | 波登管真空计 | ||
| 排气泵 | 回转泵 | ||
| 液体物料引入系统 | |||
| 用于芯管测量的热电偶（选项） | |||
| 急冷滑动机构（滑动距离：250mm） | |||
| 外形尺寸 | W1400mm×H1000mm×D500mm | ||
