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ICP-RIE 等离子体刻蚀机

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具体成交价以合同协议为准
  • 公司名称重庆眺望科技有限公司
  • 品       牌
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  • 所  在  地
  • 厂商性质其他
  • 更新时间2023/1/26 9:52:04
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眺望科技专注光电科技、半导体以及新能源行业。眺望科技自2005年成立以来, - -直致力于为客户提供高品质产品与服务。目前,眺望科技与多个国际品牌-直保持着长期合作关系,主要包括美国AJA磁控溅射、离子刻蚀、电子束蒸发等PVD设备,美国AYMONT碳化硅等宽禁带半导体材料生长工艺及设备,美国Digital Matrix先进电镀设备,德国SENTECH等离子体工艺设备等,美国Film Sense多波长椭偏仪,德国ATL激光器以及徕卡LEICA光学显微镜等产品。行业应用覆盖半导体、真空镀膜、光电科技以及材料分析等领域,服务范围。眺望科技作为国际品牌代理商,依托良好的产品平台和专业务实的服务团队,目前在国内北京、上海、 成都、重庆等城市分别设立办事处,与国内科研院和企事业单位也建立了良好的合作关系。我们期待能为您提供更多更专业的行业解决方案。
ICP-RIESI500纳米结构低损伤刻蚀由于等离子的能量分布低,从而能实现低损伤刻蚀和纳米结构刻蚀
ICP-RIE 等离子体刻蚀机 产品信息

ICP-RIE SI 500

 

纳米结构低损伤刻蚀 

由于等离子的能量分布低,从而能实现低损伤刻蚀和纳米结构刻蚀。 

简单高速率刻蚀 

MEMS制造工艺中,Si材料光滑侧壁的高速高选择比刻蚀,可以很容易的通过室温或低温工艺实现。 

内置ICP等离子源 

平板三螺旋天线(PTSA)等离子源是SENTECH的等离子工艺系统。PTSA能产生高密度低能量分布的等离子体。

在多种材料刻蚀工艺中都能实现高效率耦合及稳定起辉 。

动态温控 

衬底温度设定和工艺过程中的稳定性是影响刻蚀工艺质量的重要因素。ICP衬底电极结合背面氦气冷却和温度传感器进行动态温控,工艺温度范围为-150 °C 至 +400 °C。 

 

SENTECH面向高灵活性和高产能的刻蚀和沉积系统提供各种级别的自动化装置,从预真空系统到6端口的多工艺腔室装置。SI500可以作为多腔室工艺模块。

 


 

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SI 500 

ICP等离子刻蚀机

真空样品室/load-lock

装载200mm晶圆

样品温度 -20 °C ~ 300 °C 

 

 

 

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SI 500C 

低温ICP等离子刻蚀机

配置传送腔和真空样品室

样品温度 -150 °C ~ 400 °C 

 

 

 

 

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SI 500-RIE 

RIE等离子刻蚀机

智能氦气背部冷却刻蚀

电容耦合等离子源

可升级到ICP等离子源PTSA200

 

 

 

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SI 500-300 

ICP等离子刻蚀机

真空样品室/load-lock

装载300mm晶圆

 

 

 

 

 

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