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陶瓷橡胶电压击穿试验仪

参考价面议
具体成交价以合同协议为准
  • 公司名称北京北广精仪仪器设备有限公司
  • 品       牌
  • 型       号BDJC-50KV
  • 所  在  地
  • 厂商性质生产厂家
  • 更新时间2023/5/29 8:05:22
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北广精仪公司简介 

北广精仪公司是一家专业从事检测仪器,自动化设备生产的*企业公司, 

“精细其表,*于内”是北广精仪一惯秉承的原则。其*的设计风格,*的制造技术和完善的服务体系,为科研机构、大专院校,企业和质量检测机构提供的产品和优质的服务。 

北广公司保持以发展与中国测试产业相适应的应用技术为主线,通过与产业界协调发展的方式提高本公司的竞争实力和技术含量。 

与此同时,本公司自成立以来,坚持走"研发生产"相结合的道路,借助国家工业研究院的理论知识和强劲的科研实力,在消化、吸收*生产技术的基础上,大胆创新、锐意改革、努力创造,开发出具有中国特色的新产品,为提高中国的科研及产品质量作出了应有的贡献。 

经营理念: 

  一、诚信待户 顾客*      全心全意为顾客考虑,使顾客能切身感受到人性化的仪器。 

  二、检测 保质保量     检测是我们的责任 保质保量是我们对客户的郑重承诺 

  三、技术 创新理念    储备的开发人才,引进,采用*的设计理念,打造精良的检测仪器。  

北广产品广泛应用于国防、大专院校以及检测所等行业,本公司以技术的创新为企业的发展方向,以新型实用的产品引导客户的需求 

北广公司所供产品严格按照国家标准生产制造,严谨的制造环节确保每一台出厂仪器质量和性能的*,服务优质,质优价廉 确保您的放心 !

料试验机(拉力机)、电压击穿试验仪、体积表面积电阻率测试仪、介电常数与介质损耗测试仪、低温脆性冲击试验仪、耐电弧性能试验仪、高压漏电起痕试验仪、环境试验箱、维卡热变形试验仪、转子硫化仪、熔体流动速率仪、水平垂直燃烧试验仪、门尼粘度试验仪、阿克隆磨耗试验机、气动冲片机、手动冲片机、滑动摩擦磨损试验机、哑铃制样机、简支梁冲击试验机、悬臂梁冲击试验机、氧指数测定仪、水分测定仪、海绵密度测定仪、橡胶回弹仪等。
陶瓷橡胶电压击穿试验仪技术参数01、输入电压: 交流 220 V。02、输出电压: 交流 0--50KV ; 直流 0—50kv 。03、电器容量:3KVA。04、高压分级:0—50KV,(全程可调)。05、升压速率:0.1KV/s-5kv/s 可调(备注:满足标准要求并可以根据用户需求设定不同的升压速率)。
陶瓷橡胶电压击穿试验仪 产品信息

 陶瓷橡胶电压击穿试验仪击穿电压是使电介质击穿的电压,电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体,称为电介质击穿,所对应的电压称为击穿电压。电介质击穿时的电场强度叫击穿场强。 在强电场作用下,固体电介质丧失电绝缘能力而由绝缘状态突变为良导电状态。导致击穿的临界电压称为击穿电压,在均匀电场中,击穿电压与固体电介质厚度之比称为击穿电场强度,它反映固体电介质自身的耐电强度。 不均匀电场中,击穿电压与击穿处固体电介质厚度之比称为平均击穿场强,它低于均匀电场中固体电介质的介电强度。不同电介质在相同温度下,其击穿场强不同。当电容器介质和两极板的距离d一定后,由U1-U2=Ed知,击穿场强决定了击穿电压。 陶瓷橡胶电压击穿试验仪不均匀电场中,空气击穿电压和场强成反比。极不均匀电场间隙击穿特性分析阶段。极不均匀电场气隙中,因间隙距离大,击穿电压主要取决于间隙距离,而与电极形状关系不大,所以以棒-棒电极或棒一板电极作为研究极不均匀电场放电特性的典型电极。

型号

BDJC-50KV

输出电压

50Kv

变压器容量

3KVa

升压器容量

2kva

工作电压

220v±10 的单相交流电压和 50Hz±1的频率

控制方式

西门子PLC

试验方式:

交/直流试验:1、匀速升压 2、梯度升压 3、耐压试验

试验介质

空气/绝缘油  标配方便拆装的油浴装置

升压装置

采用*的无触点原件匀速升压淘汰前款机械调压

升压速度

0.1kv-5.0kv/s  自用设定

耐压时间

软件设定>10H

试验精度

≤1%

漏电流选择

0-150mA

控制方式

232/485/网口/无线

击穿判断方式

电压/电流

放电方式

自动放电

变压器变比

1:500

采集方式

变压器0-100v输出

升压速度

0.1-5.0kv/S

棒极附近产生的电晕,带电粒子定向运动,正离子向板极运动,由于速度慢,就在棒极附近形成电荷积累区,使未游离区的电场强度增大,而导致击穿电压降低。

电容器在不高于击穿电压下工作都是安全可靠的,不要误认为电容器只有在额定电压下工作才是正常的。

当 PN 结的反向偏压较高时,会发生由于碰撞电离引发的电击穿,即雪崩击穿。存在于半导体晶体中的自由载流子在耗尽区内建电场的作用下被加速其能量不断增加,直到与半导体晶格发生碰撞,碰撞过程释放的能量可能使价键断开产生新的电子空穴对。

新的电子空穴对又分别被加速与晶格发生碰撞,如果平均每个电子(或空穴)在经过耗尽区的过程中可以产生大于 1 对的电子空穴对,那么该过程可以不断被加强,最终达到耗尽区载流子数目激增,PN 结发生雪崩击穿。

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