服务背景
在第三代半导体的代表中，碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）目前是技术较为成熟的材料，优越的性能使其在新一代运动通信、新能源并网、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域具有广泛的应用前景。SiC、GaN器件凭借杰出的系统性能，给许多应用带来更高的效率和功率密度，以及更低的系统成本。然而，与所有的新技术一样，SiC、GaN器件必须全面严格地遵循技术开发和产品质量检验程序。广电计量特意推出第三代半导体可靠性验证与评价服务，助力企业产品高效发展。
服务内容
广电计量围绕JEDEC系列标准，从三方面进行技术能力布局：
1、识别潜在的失效模式和失效机制，并根据目标寿命设计确认测试；
2、将样品置于适当的可靠性应力下，以加速激发潜在的失效机制；
3、完成加速应力后，对样品进行测试，以确定其性能是否仍可接受。
针对SiC分立器件和模块，广电计量参照JEDEC、AECQ101及AQG324标准进行检测验证，能力不仅覆盖用于验证传统Si器件长期稳定性的所有方法，还开发了针对SiC器件不同运行模式的特定试验，见表1。
表1 SiC器件特定可靠性试验
| 试验 | 试验条件 |
| HV-H3TRB | VDS=0.8VDSmax，Ta=85°C, RH=85%，t≥1000h |
| HTRB和负电压 | VDS=VDSmax，Tvj=175°C，VG =-10 V，t≥1000h |
| 动态H3TRB | VDS>0.5VDSmax，dVDS/dt(at DUT)>30V/ns, 15kHz≤f≤25 kHz,Ta=85°C, RH = 85%，t≥1000h |
| 动态反向偏压（DRB） | VDS≥0.8VDSmax，dVDS/dt (at DUT)=50V/ns，f ≥25 kHz，Ta= 25°C，t≥1000h |
| 动态栅偏（DGS） | 次数≥1011，dVGS/dt =1 V/ns，f ≥50 kHz，VGSoff= VGSmin和VGSon= VGSmax，Ta=25°C |
| HTFB | SiC体二极管双极退化 |
CaN器件的质量及可靠性验证以JEDEC和AECQ101为基准进行，见表2，并针对GaN器件和Si基器件之间的差异实施表3试验。
表2 通用可靠性试验
| 试验 | 试验条件 |
| HTRB | Tj=150°C， VDS=0.8 VDSmax，t≥1000h |
| HTGB | Tj=150°C，VGS=±100%，t≥1000h |
| H3TRB | Tj=85°C，RH=85%，VDS=0.8 VDSmax，t≥1000h |
| TC | -40°C to +125°C，≥1000cycles |
| HTS | Ta=150°C，t≥1000h |
| IOL | DTj=100°C，2min on，2min off，≥5k cycles |
| ESD | HBM+CDM |
| MSL3 | Ta=60°C，RH=60%，t=40h，3x reflow cycles |
表3 CaN器件特定试验
| 试验 | 试验标准 |
| 开关加速耐久试验 | JEP122,JEP180 |
| 动态高温工作寿命 | |
| 动态Rdon测试 | JEP173 |
| 持续开关测试 | JEP182 |
广电计量特意推出第三代半导体可靠性验证与评价服务，助力企业产品高效发展。
