性能指标
- 电镜分辨率: 2.0nm @ 30kV;5.0nm @ 3kV
- 加速电压: 200V~30kV
- 束流大小: 1pA-2μA
- 景深:可达7mm
- 电镜检测器: 高真空二次电子检测器(SE)、马达驱动可伸缩式背散射电子探测器(BSE)(用于高真空和低真空)、低真空二次电子探测器(LVSTD, up to 500 Pa)样品室红外CCD探测器。
- 能谱: Oxford AZtec MaxN-80
主要应用
- VEGA 3 – XMU (LaB6)型扫描电子显微镜兼具高、低真空两种模式,适用于导电材料和非导电材料表面形貌的观察,获得表面形貌的二次电子像、背散射电子像。
- 拥有加强景深显示模式,景深可达7mm以上,专门用于观察高低落差大的样品,比如金属断口、失效分析等。
样品要求
- 样品不得为具有磁性的粉末,并且不易被磁化,粉末中不得含有铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)。
- 样品中不得含有水分。
- 样品高度小于80mm,直径小于130mm。
- 多孔类或易潮解的样品,请提前真空干燥处理。
- 样品应具有导电性。若样品不导电,需要进行镀金、碳等导电膜的处理(本中心也提供镀膜服务,但需要另行收费)。
仪器说明
- VEGA 3 XMU (LaB6) 采用介于肖特基与钨灯丝性能之间的LaB6(六硼化镧)作为电子发射源。
- LaB6的优势包括:比场发射电子源更稳定的电子发射源,在阴极较低温度下可获取比钨灯丝电子源更高的束流,因此在各个不同加速电压下和整个使用寿命中,LaB6都可以保持很高的亮度和分辨率。
- 配备能谱,可做常规元素分析。