美国Nano-master NIE-4000 离子束刻蚀系统，NIR-4000 IBE/RIE 双刻蚀系统
NANO-MASTER 拥有成熟的技术能力可以使基片温度保持在50°C 以下。通过倾斜和旋转，深沟可以切成斜角，通过控制侧壁轮廓和径向可提高均匀度。对于大尺寸的基片，我们配置线性离子源，通过扫描的方式，可以实现均匀的离子束刻蚀或反应离子束刻蚀。不同的构造不同的应用可选择不同的选配项，若要刻蚀之后马上涂覆，可以增加溅射选项。对于标准的晶圆片，也可选择自动装载卸载晶圆片。
工艺过程通过触摸屏电脑和 LabView 软件，可实现全自动的 PC控制，具有高度的可重复性，且具有友好的用户界面。
系统具有完整的安全联锁，提供四级密码访问保护，防止使用者越权使用，含：
。 操作者权限：运行程序
。工艺师权限：添加/编辑和删除程序
。工程师权限：可独立控制子系统，并开发程序
。服务权限：NM 工程师故障诊断和排除
系统支持不限数量的工艺菜单，每套工艺菜单可根据需要支持 1到 100 个工艺工序（步骤），可实现简单操作完成复杂的工艺。
系统标准配置包含涡轮分子泵和机械泵，极限真空可达到10-7 Torr 量级(可升级到 10-8Torr 量级)。分子泵与腔体之间的直连设计，系统可获得真空传导率，12 小时达到腔体极限真空。腔体压力调节通过 PC 自动控制涡轮速度而全自动调节，快速稳定。双真空计配置，可实现真空的全局测量和精确测量。
对标准晶圆可支持单片或 25 片 Cassette 的 Auto L/UL 升级，可自动进样、对准、出样，在不间断工艺真空情况下连续处理样片。Load Lock 腔体配套独立真空系统，通过 PC 全自动监控。
若离子铣工艺之后需要马上进行反应离子刻蚀处理，NMC 技术可以双腔体系统，在一个系统的两个腔体内完成两种不同的工艺，若加上自动传输，还可实现整个处理过程都不打破彼此真空状态，实现非常高效的工艺处理
典型应用
。 三族和四族光学元件。
。激光光栅。
。高深宽比的光子晶体刻蚀。
。在二氧化硅、硅和金属上深沟刻蚀。
。 微流体传感器电极及测热式微流体传感器。
Fomblin 泵油
。 极限真空可达 7×10-7 Torr。
。下游压力通过 PC 对分子泵涡轮速度的控制自动调节。
。SiN4 磁控溅射保护被刻蚀金属表面以防氧化(选配)。
。 基于 LabVIEW 软件的计算机全自动工艺控制。
。菜单驱动，密码保护，的安全联锁。
。紧凑型设计，占地面积仅 26”Dx66”W,节省空间。
系统可选
。光谱终点探测器。
。氦气背部冷却。
。更大尺寸的电镀方形腔体。
。 自动装载/卸载。
。 低温泵组。
。 附加反应气体质量流量控制器。
。 格状射频电感耦合等离子体。
。 用于钝化层沉积的溅射源。
设备特点
。 24”x60”x10”长方或 ”立方型不锈钢离子束腔体。
。24”Wx10”H 或 8”测开门，带 2 个 2”观察视窗。
。支持 600X600mm 的基片(可定做更大尺寸)。
。 倒装磁控无栅无灯丝准直 60cm 线性离子源(离子枪)，1500-2500V，并且高达 1000mA，无需中和器。
。 离子源均匀性可达+/-%，操作压力。 离子枪电源：4KV 电源。
。配套 Ar 和 CF4 MFC，支持 IBE 和 RIBE 刻蚀应用。
。 反应性气体通过靶枪的长度方向引入，均匀分布。
。冷却水冷却（背氦冷却可选）。
。 步进电机控制离子枪扫描或样品台旋转/倾斜。
。 手动或自动(自动仅对标准晶圆)上下载晶圆片。
。 配套 1200L/Sec 涡轮分子泵，串接 2021C2 机械泵。
