为对任意样品进行高水准的成像和分析而生
蔡司 GeminiSEM 系列产品具有出色的探测效率，能够轻松地实现亚纳米分辨成像。无论是在高真空还是在可变压力模式下，更高的表面细节信息灵敏度让您在对任意样品进行成像和分析时都具备更佳的灵活性，为您在材料科学研究、生命科学研究、工业实验室或是显微成像平台中获取各种类型样品在微观世界中清晰、真实的图像，提供灵活、可靠的场发射扫描电子显微镜技术和方案。
■ 特 点：
GeminiSEM 500 具有出色的分辨率，在较低的加速电压下仍可呈现给您更强的信号和更丰富的细节信息，其创新设计的NanoVP可变压力模式，甚至让您在使用时拥有在高真空模式下工作的感觉；
GeminiSEM 450 具有出色的易用性设计、更快的响应和更高的表面灵敏度，使其能快速、灵活、可靠地对样品进行表面成像和分析，充当您的得力助手；
GeminiSEM 300 具有出色的分辨率、更高的衬度和更大且无畸变的成像视野，可方便地选取适合样品的真空度等环境参数，使FESEM初学者也能快速掌握；
- GeminiSEM 500 为您呈现任意样品表面更强的信号和更丰富的细节信息，尤其在低的加速电压下，在避免样品损伤的同时快速地获取更高清晰度的图像。
经优化和增强的Inlens探测器可高效地采集信号，助您快速地获取清晰的图像，并使样品损伤降至更低；
在低电压下拥有更高的信噪比和更高的衬度，二次电子图像分辨率1 kV达0.9nm，500 V达1.0 nm，无需样品台减速即可进行高质量的低电压成像，为您呈现任意样品在纳米尺度上更丰富的细节信息；
应用样品台减速技术-（Tandem decel），可在1 kV下获得高达0.8nm二次电子图像分辨率；
创新设计的可变压力模式-NanoVP技术，让您拥有身处在高真空模式下工作的感觉。
- GeminiSEM 450 更快的响应和更高的表面灵敏度使其能快速、灵活、可靠地对样品进行表面成像和分析，简便、快速地进行EDS能谱和EBSD等分析，同时保持出色的空间分辨率，充当您的得力助手。
在EDS能谱和EBSD分析模式下仍保持高分辨率的成像，在低电压条件下工作时更为优异；
可快速地对样品进行大范围及高质量成像；
经优化的电子光学镜筒，减少了工作过程中进行重新校准的复杂流程，节省成像时间，提高工作效率；
无论是不导电样品、磁性样品或是其他类型的样品，无论是高真空或是可变压力模式，均可实现快速和高质量的成像和分析；
- GeminiSEM 300 将让您体验到在更高的分辨率和更佳的衬度下进行极大视野范围成像的乐趣，并且在高真空或是可变压力模式下都可以实现。
得益于高效的信号采集系统和优异的分辨率性能，可实现快速、高质量、无畸变的大范围成像；
创新设计的高分辨率电子枪模式，为对磁性样品、不导电样品以及电子束敏感样品的低电压成像量身订制解决方案；
蔡司独树一帜的镜筒内能量选择背散射探测器，在低电压下也可轻松地获得高质量的样品材料衬度图像；
NanoVP技术让您可以使用镜筒内Inlens二次电子探测器对要求苛刻的不导电样品进行高灵敏度、高分辨成像。
■ 参 数：
基本规格 | 蔡司 GeminiSEM 500 | 蔡司 GeminiSEM 450 | 蔡司 GeminiSEM 300 |
热场发射电子枪，稳定性优于0.2 %/h | |||
加速电压 | 0.02 - 30 kV | ||
探针电流 | 3 pA - 20 nA | 3 pA - 40 nA | 3 pA - 20 nA |
（100 nA配置可选） | （100 nA或300 nA配置可选） | （100 nA配置可选） | |
存储分辨率 | 达32k × 24k 像素 | ||
放大倍率 | 50 – 2,000,000 | 12 – 2,000,000 | 12 – 2,000,000 |
标配探测器 | 镜筒内Inlens二次电子探测器 | ||
样品室内的Everhart Thornley二次电子探测器 | |||
可选配的 项目 | 镜筒内能量选择背散射探测器 | ||
- | 角度选择背散射探测器 | 角度选择背散射探测器 | |
环形STEM探测器（aSTEM 4） | |||
EDS能谱仪 | |||
EBSD探测器(背散射电子衍射) | |||
NanoVP可变压力模式 | |||
高效VPSE探测器（包含在NanoVP可变压力选件中） | |||
局部电荷中和器 | |||
可订制特殊功能样品台 | |||
环形背散射电子探测器 | |||
阴极射线荧光探测器 | |||
