响应性好，噪音低，OptoDiode分段光电二极管
美国OptoDiode分段光电二极管有红色增强型和紫外线增强型分段探测器，AXUVPS7、SXUVPS4、SXUVPS4C分段探测器存储和工作温度在环境下是-10°C~40°C，在氮气或真空是-20°C至80°C，引线焊接温度是260°C。超过这些参数的温度可能会在有源区产生氧化物生长。随着时间的推移，对低能量辐射和波长低于150纳米的辐射的反应性将受到影响。距离外壳0.080"，持续10秒。发货时带有临时盖子，以保护光电二极管和导线连接。在拆除盖子之前，请查看OptoDiode，"IRD检测器的处理注意事项"。美国OptoDiode分段探测器光子响应性好，噪音低，是电子检测的理想选择。
OptoDiode分段光电二极管型号
常见的基板分段探测器是精确归零或定心应用的理想选择，提供双节电池或四节电池配置。
| 型号 | 零件编号 | 描述 | 有效面积mm² |
| AXUVPS7 | ODD-AXU-096 | 四光二极管是电子检测的理想选择 | 36.5 |
| ODD-3W-2 | ODD-632-007 | 红色增强型3.1mm²双电池光电二极管 | 3 |
| SXUVPS4 | ODD-SXU-013 | 象限紫外线增强光电二极管 | 5 |
| SXUVPS4C | ODD-SXU-023 | 象限紫外线增强光电二极管 | 5 |
ODD-3W-2分段光电二极管的特点
- 红色增强型
- 低噪音
- 高响应
- 高分流电阻
- 扁平的TO-5封装
在VR=5 V测试条件下，暗电流典型值是0.9na，值是5na。VR=10 mV， 分流电阻的典型值是300欧姆。当VR=0 V, f=1MHz，结点电阻是30pF，当VR=10 V, f=1MHz时结点电阻是7.5pF。光谱应用范围是250nm-1100nm。当λ=633nm, VR=0V时，反应性最小值是0.32A/W，典型值是0.36A/W，当λ=900nm, VR=0V时，反应性最小值是0.5A/W，典型值是0.6A/W。当IR=10μA，击穿电压最小值是25V，典型值是60V。当VR=0V, λ=950nm时，噪声等效功率2.5x10-14 W/√HZ。当RL=50Ω, VR=0V，上升时间典型值为190纳秒，当RL=50Ω, VR=10V，上升时间典型值为8纳秒。反向电压100V。暗电流与电压图同AXUVPS7分段光电二极管相同。
存储温度为-55°C~150°C，工作温度为-40°C~125°C，引线焊接温度是260°C。
SXUVPS4分段二极管的特点
- 圆形有效区域（4个象限）
- TO-5，5引脚封装
在R.049(1.25mm)测试条件下，SXUVPS4分段光电二极管每象限有效面积的典型值是1.25mm²。当VR为±10mV时，分流电阻最小值为100欧姆，当IR=1µA时，反向击穿电压最小值是20V。VR=0V时，电容的值是500pF。当VR=0V, RL=500Ω，上升时间值是1微秒。存储和工作温度与AXUVPS7分段光电二极管相同。
SXUVPS4C分段光电二极管
TO-5，5引脚封装，SXUVPS4C分段光电二极管每象限有效面积的典型值是1.25mm²，在波长254nm时，响应性是0.02A/W。VR=±18V，暗电流典型值是1nA，值是100nA。当R=1µA时，反向击穿电压最小值是20V。VR=0V，电容典型值是100pF，值是300Pf。VR=0V时，上升时间典型值是1微秒。Vf=±10mV时分流电阻是100欧姆。电容与电压是反比的关系，暗电流与电压是正比的关系。
AXUVPS7分段光电二极管的特点
- 是电子检测的理想选择
- 圆形有效区域
AXUVPS7分段光电二极管在25°C时的电光特性，有效面积的典型值是36.5mm²。响应性的最小值是0.07A/W，典型值是0.08A/W，值是0.09A/W。当VR为±10mV时，分流电阻最小值为10欧姆，当电阻的电流为IR=1µA时，反向击穿电压最小值是5V。VR=0V时，电容的典型值是2nF,值是6nf。当VR=2V, RL=50Ω，上升时间值是2微秒。
