德国BATOP GmbH总部位于德国光谷——耶拿，BATOP自2003年成立以来一直专注于半导体非线性光学器件的发展，如用于激光器的可饱和吸收镜，用于改善光学信号的可饱和噪声抑制器，以及用于太赫兹生成和检测的光电导天线。BATOP专注于在GaAs晶片上生长GaAs, AlAs, InAs材料的多层薄膜，并进行晶圆处理、器件封装和测试，应用于各种光电器件之上。
德国BATOP专业生产制造各类可饱和吸收镜，建立了可饱和吸收镜标准品库，其中可饱和吸收耦合输出镜SOC的型号主要以波长分类，其分为1040nm/1064nm/2000nm三种波段。 SOC耦合输出镜的结构是由一个可饱和吸收镜SAM+输出耦合器组成，能够应用于固态或光纤锁模激光器。
BATOP公司可饱和吸收镜（Saturable Absorber）系列产品包括：
SAM（Saturable Absorber Mirror） - 半导体可饱和吸收镜
SOC（Saturable Output Coupler）- 可饱和吸收耦合输出镜
SA（Saturable Absorber）- 可饱和吸收体
RSAM（Resonant SAM）- 共振可饱和吸收镜
SANOS（Saturable Noise Suppressor）- 可饱和噪声去除腔
RSA（Resonant Saturable Absorber in transmission） - 共振可饱和吸收体
SOC（Saturable Output Coupler）- 可饱和吸收耦合输出镜
使用可饱和输出耦合器(SOC) ，可以设置自启动、被动锁模或调Q二极管泵浦的固体激光器或光纤激光器。在使用SOC代替SAM进行被动锁模的情况下，可以通过激光腔的二向色端镜提供光泵功率。其布局非常简单。SOC是可饱和吸收镜(SAM)和输出耦合器的组合。
SOC命名规则：
型号：SOC-λ-A-T-τ-x，例如RSAM-1064-27-x
• λ - laser wavelength - 波长
• A - low intensity absorption - 吸收率
• T - low intensity transmittance – 透过率
• τ - absorber relaxation - 弛豫时间
• x - mounting condition & price –封装基底&价格
x=0，无封装的裸片
x=12.7g，粘在1/2英寸的铜柱上
x=25.4g，粘在1英寸的铜柱上
x=12.7S，焊在1/2英寸的铜柱上
x=25.4S，焊在1英寸的铜柱上
x=FC/PC，安装在1米长光纤一端，接头类型FC/PC或其他可选
x=FC/PC with TEC，安装在1米长光纤一端，且带TEC冷却器
SOC可饱和吸收耦合输出镜的封装底座&价格
以下为SOC镜片裸片，镀膜铜基底封装，和光纤端口的价格：
| SOC封装底座选项 | 规格 | 价格 |
| 无封装的SOC | • Single chip， unmounted • Chip area 5.0 mm x 5.0 mm • Chip thickness standard: 625 µm，optional: 150 µm | € 624 |
| 带有封装底座的SOC | • Chip area 5.0 mm x 5.0 mm • Glued on a copper heat sink with 12.7 mm diameter and 4 mm center hole • Chip thickness standard: 625 µm，optional: 150 µm | € 702 |
| 带有封装底座的SOC | • Chip area 5.0 mm x 5.0 mm • Glued on a copper heat sink with 25.4 mm diameter and 4 mm center hole • Chip thickness standard: 625 µm，optional: 150 µm | € 702 |
| 带有光纤封装的SOC x=FC | • SOC chip mounted on a single mode fiber cable with FC/PC connector • free space output beam | € 871 |
可饱和吸收耦合输出镜SOC的分类：
Wavelength region 1010 nm ... 1100 nm: 1040 nm | 1064 nm
Wavelength region 1980 nm ... 2020 nm: 2000 nm
1040nm SOC可饱和吸收耦合输出镜 规格型号:
| SOC输出耦合镜型号 | 规格 |
| SOC-1040-2-3-1ps-x | SOC：λ=1040 nm， Absorptance A=2 %， Transmittance T=3 %， Relaxation τ=1 ps |
| SOC-1040-3-0.4-1ps-x | SOC：λ=1040 nm， Absorptance A=3 %， Transmittance T=0.4 %， Relaxation τ=1 ps |
| SOC-1040-3-0.4-1ps-x | SOC：λ=1040 nm， Absorptance A=3 %， Transmittance T=4 %， Relaxation τ=1 ps |
| SOC-1040-5-5-1ps-x | SOC：λ=1040 nm， Absorptance A=5 %， Transmittance T=5 %， Relaxation τ=1 ps |
| SOC-1040-6-0.5-1ps-x | SOC：λ=1040 nm， Absorptance A=6 %， Transmittance T=0.5 %， Relaxation τ=1 ps |
| SOC-1040-6-2-1ps-x | SOC：λ=1040 nm， Absorptance A=6 %， Transmittance T=2 %， Relaxation τ=1 ps |
| SOC-1040-7-2-1ps-x | SOC：λ=1040 nm， Absorptance A=7 %， Transmittance T=2 %， Relaxation τ=1 ps |
| SOC-1040-8-0.6-1ps-x | SOC：λ=1040 nm， Absorptance A=8 %， Transmittance T=0.5 %， Relaxation τ=1 ps |
| SOC-1040-8-6-15ps-x | SOC：λ=1040 nm， Absorptance A=8 %， Transmittance T=6 %， Relaxation τ=15 ps |
| SOC-1040-9-9-1ps-x | SOC：λ=1040 nm， Absorptance A=9 %， Transmittance T=9 %， Relaxation τ=1 ps |
| SOC-1040-11-3-1ps-x | SOC：λ=1040 nm， Absorptance A=11 %， Transmittance T=3 %， Relaxation τ=1 ps |
| SOC-1040-14-10-15ps-x | SOC：λ=1040 nm， Absorptance A=14 %， Transmittance T =10%， Relaxation τ=15 ps |
| SOC-1040-17-5-1ps-x | SOC：λ=1040 nm， Absorptance A=17 %， Transmittance T=5 %， Relaxation τ=1 ps |
| SOC-1040-24-19-15ps-x | SOC：λ=1040 nm， Absorptance A =24 %， Transmittance T=19 %， Relaxation τ=15 ps |
1064nm，2000nm 可饱和吸收耦合输出镜SOC 规格型号：
| SOC输出耦合镜型号 | 规格 |
| SOC-1064-1-1-5ps-x | SOC：λ=1064nm， Absorptance A =1 %， Transmittance T =1 %， Relaxation τ=5 ps |
| SOC-1064-1.8-2.2-1ps-x | SOC：λ=1064nm， Absorptance A =1.8 %， Transmittance T =2.2 %， Relaxation τ=1 ps |
| SOC-1064-2-0.3-1ps-x | SOC：λ=1064nm， Absorptance A =2 %， Transmittance T =0.3 %， Relaxation τ=1 ps |
| SOC-1064-2.7-3.2-1ps-x | SOC：λ=1064nm， Absorptance A =2.7 %， Transmittance T =3.2 %， Relaxation τ=1 ps |
| SOC-1064-4-0.5-1ps-x | SOC：λ=1064nm， Absorptance A =4 %， Transmittance T =0.5 %， Relaxation τ=1 ps |
| SOC-1064-7-0.7-1ps-x | SOC：λ=1064nm， Absorptance A =7 %， Transmittance T =0.7 %， Relaxation τ=1 ps |
| SOC-1064-8-6-1ps-x | SOC：λ=1064nm， Absorptance A =8 %， Transmittance T =6 %， Relaxation τ=1 ps |
| SOC-1064-8-8-15ps-x | SOC：λ=1064nm， Absorptance A =8 %， Transmittance T =8 %， Relaxation τ=15 ps |
| SOC-1064-9-13-17ps-x | SOC：λ=1064nm， Absorptance A =9 %， Transmittance T =13 %， Relaxation τ=17 ps |
| SOC-1064-13-12-15ps-x | SOC：λ=1064nm， Absorptance A =13 %， Transmittance T =12 %， Relaxation τ=15 ps |
| SOC-1064-15-23-17ps-x | SOC：λ=1064nm， Absorptance A =15 %， Transmittance T =23%， Relaxation τ=17ps |
| SOC-1064-21-13-20ps-x | SOC：λ=1064nm， Absorptance A =21 %， Transmittance T =13 %， Relaxation τ=20 ps |
| SOC-1064-22-19-15ps-x | SOC：λ=1064nm， Absorptance A =22 %， Transmittance T =19 %， Relaxation τ=15 ps |
| SOC-2000-26-19-10ps-x | SOC：λ=2000nm， Absorptance A =26%， Transmittance T =19 %， Relaxation τ =10ps |
| SOC-2000-26-24-10ps-x-thin | SOC：λ=2000nm，A =26%，T =24%，τ =10ps，Chip thickness 140 µm for fiber butt coupling |
| SOC-2000-40-28-10ps-x | SOC：λ=2000nm， Absorptance A =40%， Transmittance T =28%， Relaxation τ =10ps |
