自动Mapping面扫功能
Mapping面扫台允许使用受控的网格模式来探索整个样品表面。Omega/Theta XRD可以很容易地在转盘顶部容纳额外的XY定位平台。样品表面可以根据用户定义的网格进行扫描。由于样品上X射线光斑的大小，小的网格间距约为1毫米。
绘图阶段可以与Omega扫描结合起来，以获得晶体方向图，或与摇摆曲线测量结合起来，以获得表面的扭曲图。可提供用于显示和分析的软件包。
晶体的Mapping面扫功能是诊断晶体生长过程中和制造过程中出现的质量问题的一个宝贵工具
即使在单晶中，晶体取向也可以在表面上表现出微小的变化，这是由晶格缺陷引起的内部应变造成的。有序生长的薄膜也可以有一个有趣的面内取向分布。
绘制一个表面需要大量的测量。在这里，欧米茄扫描方法可以提供其速度方面的优势。图中显示的是在一个（Si，Ge）固溶体晶片上测量的取向图。较大的方向差是0.03°。同心圆是按照晶体的生长环进行的。
