SICK背景抑制功能传感器WTB23-2P2461 返回列表页

SICK背景抑制功能传感器WTB23-2P2461
供电电压 10 V DC ... 30 V DC 1)
残余纹波 < 5 Vss2)
电流消耗 ≤ 50 mA 3)
开关量输出 NPN PNP
开关类型 明/暗切换
1) 短路保护的电网环境下的临界值：zui大 8 A.
2) 不得过或低于 UV公差.
3) 无负荷.
4) 信号传输时间（电阻负载时）.
5) 亮暗对比度为 1:1 时.
6) A = UV 接口（已采取反极性保护措施）.
7) C = 抑制干扰脉冲.
8) D = 抗过载电流和短路保护输出端.
9) 额定电压 ：50 V DC.

SICK背景抑制功能传感器WTB23-2P2461
传感器原理/检测原理 反射式光电扫描仪, 背景抑制功能
尺寸(宽 x 高 x 深) 27 mm x 87.5 mm x 65 mm
外壳形状（光束出口） 方形
zui大开关距离 100 mm ... 2,500 mm 1)
感应距离 100 mm ... 2,500 mm 1)
光线种类 红外线
光发射器 LED 2)
光点尺寸（距离） Ø 80 mm (2,500 mm)
设置 电位计

技术密集是指传感器在研制和制造过程中技术的多样性、边缘性、综合性和技艺性。它是多种高技术的集合产物。由于技术密集也自然要求人才密集。
密集是指研究开发和某一种传感器产品要求一定的强度，尤其是在工程化研究以及建立经济线时，更要求较大的。