当前位置:上海乾拓贸易有限公司>>日本欧姆龙OMRON>>OMRON传感器/接近开关>> E2S-W23OMRON传感器主要功能EE-SG3
材料晶体结构 | 其他 | 材料物理性质 | 半导体 |
---|---|---|---|
迟滞 | -%F.S | 防护等级 | 67 |
分辨率 | - | 加工定制 | 否 |
灵敏度 | - | 输出信号 | 数字型 |
线性度 | -%F.S | 制作工艺 | 厚膜 |
重复性 | -%F.S |
OMRON传感器主要功能EE-SG3
电气及光学特性(Ta = 25°C)
项目 记号 特性值 单位 条件
MIN. TYP. MAX.
发光侧 正向电压 VF 1.2 1.5 V IF= 30mA
反向电流 IR 0.01 10 μA VR= 4V
zui大发光波长 λP940 nm IF= 20mA
受光侧 光电流 IL 240 mA IF= 15mA, VCE= 10V
反向电压 VR 4 V
受光侧 集电极发射极之间的电压 VCEO 30 V
发射极集电极之间的电压 VECO V
集电极电流 IC 20 mA
集电极损耗 PC 100*1 mW
动作温度 Topr-25 ~+ 85 ℃
保存温度 Tstg-30 ~+ 100 ℃
焊接温度 Tsol 260*3 ℃
1 环境温度过25℃时,请参阅温度额定值图。
2 脉冲宽度≦ 10μs、重复100Hz
3 焊接时间请控制在10秒以内
微型光电传感器[透过型]
为防尘构造。
焊接用端子型:EE-SG3。
印刷线路板用端子型:EE-SG3-B。
集电极发射极之间的饱和电压 VCE(sat)0.1 0.4 V IF= 30mA, IL= 1mA
大光谱灵敏度波长 λP
850 nm VCE= 10V
上升时间 tr 4 μs VCC = 5V, RL = 100Ω
IL = 5mA
下降时间 tf 4μs VCC = 5V RL = 100Ω
IL = 5mA
OMRON传感器主要功能EE-SG3
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