半导体芯片制造商联华电子（UnitedMicroelectronicsCorp，UMC）本周三正式宣布，该公司已经在45纳米SRAM产品上正式验证了其高K金属闸极（High-KMetalGate，HKMG）技术，这代表着联电在芯片制造工艺上的一个重大里程碑。据透露，联电将会在下一代32/28纳米制程上运用高K金属闸极技术，联电新一代的32/28纳米制程预计将于2010年正式服役。
联电*技术研发部门副总裁S.C.Chien表示，“联电正在平稳发展自己的高K金属闸极技术，并且正在朝着32/28纳米试生产的方向发展，未来我们的客户将可以享受到高K金属闸极技术所带来的性能优势。尽管目前经济前景并不透明，但是联电仍将继续全速朝向我们的技术研发方向努力。凭借我们zui近在28纳米SRAM芯片上所取得的进展，再配合的高K金属闸极制程材料保证，相信当我们的32/28纳米制程正式服役后将可以为客户提供一个强劲的技术平台方案。”
2008年10月份，联电生产出了晶圆制造业*块28纳米SRAM芯片，该芯片基于联电低漏电（low-leakage，LL）制程，同时利用了*的双重曝影（
double-patterning）浸润式微影技术与应变硅（strainedsilicon）技术。
联电在32/28纳米制程上实际上是为自己上了一个双保险，其32/28纳米制程面向不同的市场应用将会推出不同的解决方案。其中，在便携领域联电将会为其LL低漏电制程采用传统的硅闸极/氮氧化硅闸极氧化技术，这对诸如手机IC芯片等低功耗便携应用领域是相当理想的。高K金属闸极堆叠技术则主要将面向速度密集型产品，比如显卡、应用处理器以及高速通信IC芯片等。不过联电方面的政策相当灵活，事实上根据联电的说法，如果有必要的话客户*可以定制采用高K金属闸极技术的32/28纳米制程来制造低功耗应用芯片，以满足个别用户的特殊需求。
今年早些时候，联电主要竞争对手台积电（TaiwanSemiconductorManufacturingCo.）曾表示，该公司的28纳米制程将只采用高K金属闸极技术。台积电28纳米制程也是预定于2010年正式服役，不过事实上32纳米制程的实际上马的时间相比28纳米制程而言要更早一些，联电的32纳米制程支持高K金属闸极技术而台积电的32纳米却并不支持高K金属闸极技术，所以在某种程度上来说，联电确实已经在高K金属闸极技术上将台积电挑下了马。
