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湘潭永博电气有限公司
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变频器直流供电整流电源系统概述：1采用二极管全控整流；符合GB/T3859.1-93《半导体变流器基本要求的规定》、GB/T3859.2-93《半导体变流器变压器和电抗器》等国家标准
变频器直流供电整流电源系统概述：
1 采用二极管全控整流；符合GB/T3859.1-93《半导体变流器 基本要求的规定》、GB/T3859.2-93《半导体变流器 变压器和电抗器》等国家标准。
2 硅整流管批量老化、筛选，逐只测试，并采用高可靠元件，适当提高一定保守系数；选用美国西屋技术单晶硅为丹麦芯片，由湖北台基半导体生产的元件：ZP-1600A/1600V。
3 采用交流侧预充电主回拓扑电路，设置“缓起电路"使变频器电容慢慢充电。
4 采用优良的强风冷却系统。
5 出线方式：下进下出。
6 有齐备的警示系统、报警系统、安全保护系统和控制系统；
7 有较高抗雷电及防干扰性能；
8 与整流变压器配合控制对电力系统高次谐波分量影响的指标，符合IEC61000-3-4《国际电工委员会 谐波总量》的指标。
变频器直流供电整流电源整流装置技术参数：
1、型号：ZQF（W）—— 1500A /510V
2、环境条件：户内式
3、用途：变频器前级提供直流电源
4、额定直流输出电流： DC 1500A
5、额定直流输出电压： DC 510V
6、额定电网输入电压：主供电：三相AC400V±5% 50HZ ±1% 控制电：AC220V±5% 50HZ ±1%
7、调压方式：不可调
8、整流装置在额定运行情况下的效率不低于96%
9、电联接方式：三相桥式二极管整流
10、直流电流，直流电压输出为模拟信号
11、本套设备的设计，制造，装配和试验符合或高于以下标准规定：
△ GB/T 3859-93 《半导体电力变流器》
△ GB/T 8740-1998 《电化学用整流器》
△ JB/T2423-1999 《电力半导体器件 型号编制方法》
△ JB/T8175-1999 《电力半导体器件用型材散热体 外形尺寸》
△ JB/T4276-1999 《变流器 产品包装技术条件》
△ JB/T7062-1993 《半导体变流器联结的标志代号》
△ JB/T56217-1999 《半导体变流器产品质量分等 通则》
△ GB/T3539.4-92《低压熔断器半导体器件保护用熔断体的补充要求》
△ GB4940 《可控硅整流元件》
△ GB/T13422-92 《半导体电力变流器电器试验方法》
△ GB4208-93 《电器产品外壳防护试验标准》
△ GB/T14594-93 《无氧铜板和带》（带材部分）
△ GB/T15291-94 《半导体器件 第6部分 晶闸管》
△ IEC-146-1,2,3 国际电工标准
内置电容预充电电路
一、预充电回路介绍
在电压源型变频器整流电路中，*常见的就是六脉动二极管整流，对于6脉动二极管整流，由于二极管为不可控器件，为了减小变频器上电瞬间，对电网的冲击，以及二极管器件本身的电流限制，还有对滤波电容的冲击电流，需要限制瞬间电流，其限流部分（预充电电阻）有的布置在直流侧，有的布置在交流侧，主回路拓扑结构也有区别。电容隔直通交、存储电荷、耦合、滤波等等，而在变频器的主回路当中，直流电容的主要作用就是滤波和储能，在交流电换相时释放能量，保证直流电压稳定，从储能和滤波角度讲当然电容的容值越大越好，但是在变频器的主回路中，大的电容也会导致变频器上电初期，电容处于过渡过程，容易导致回路电流过大，因此必须设置“缓起电路"，使得电容慢慢充电，不至于影响电源、整流二极管、以及电容自身性能，因此预充电回路应运而生。
二、交流侧预充电主回拓扑电路原理图
三、变频器直流供电整流电源产品展示
变频器直流供电整流电源系统概述：
1 采用二极管全控整流；符合GB/T3859.1-93《半导体变流器 基本要求的规定》、GB/T3859.2-93《半导体变流器 变压器和电抗器》等国家标准。
2 硅整流管批量老化、筛选，逐只测试，并采用高可靠元件，适当提高一定保守系数；选用美国西屋技术单晶硅为丹麦芯片，由湖北台基半导体生产的元件：ZP-1600A/1600V。
3 采用交流侧预充电主回拓扑电路，设置“缓起电路"使变频器电容慢慢充电。
4 采用优良的强风冷却系统。
5 出线方式：下进下出。
6 有齐备的警示系统、报警系统、安全保护系统和控制系统；
7 有较高抗雷电及防干扰性能；
8 与整流变压器配合控制对电力系统高次谐波分量影响的指标，符合IEC61000-3-4《国际电工委员会 谐波总量》的指标。
变频器直流供电整流电源整流装置技术参数：
1、型号：ZQF（W）—— 1500A /510V
2、环境条件：户内式
3、用途：变频器前级提供直流电源
4、额定直流输出电流： DC 1500A
5、额定直流输出电压： DC 510V
6、额定电网输入电压：主供电：三相AC400V±5% 50HZ ±1% 控制电：AC220V±5% 50HZ ±1%
7、调压方式：不可调
8、整流装置在额定运行情况下的效率不低于96%
9、电联接方式：三相桥式二极管整流
10、直流电流，直流电压输出为模拟信号
11、本套设备的设计，制造，装配和试验符合或高于以下标准规定：
△ GB/T 3859-93 《半导体电力变流器》
△ GB/T 8740-1998 《电化学用整流器》
△ JB/T2423-1999 《电力半导体器件 型号编制方法》
△ JB/T8175-1999 《电力半导体器件用型材散热体 外形尺寸》
△ JB/T4276-1999 《变流器 产品包装技术条件》
△ JB/T7062-1993 《半导体变流器联结的标志代号》
△ JB/T56217-1999 《半导体变流器产品质量分等 通则》
△ GB/T3539.4-92《低压熔断器半导体器件保护用熔断体的补充要求》
△ GB4940 《可控硅整流元件》
△ GB/T13422-92 《半导体电力变流器电器试验方法》
△ GB4208-93 《电器产品外壳防护试验标准》
△ GB/T14594-93 《无氧铜板和带》（带材部分）
△ GB/T15291-94 《半导体器件 第6部分 晶闸管》
△ IEC-146-1,2,3 国际电工标准
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