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中国台湾CCT* 主营高压贴片电容 陶瓷电容 射频电容 压敏电阻

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乘以射频网络电流的平方就得到耗散在电容里的功率。所以耗散在电容里的功率可以表示为：Pd=ESRx(射频电流)2或Pd=ESR x I2一个有趣的现象是，低损耗电容用于高射频功率设备中时，设备功率可以是电容额定功率的几百倍。  下面是低ESR电容这样使用的一例。射频功率＝1000瓦电容是ATC100E102 （1000pF） 频率＝30MHzESR＝0.018 欧姆（18 毫欧姆）；设备线路阻抗＝50 欧姆。 注意，100E系列zui大允许功率耗散是大约5瓦。 解：计算这一线路的射频电流， 再以电流计算电容中的射频功率耗散。电流＝（功率/阻抗） 1/2 (这是这一线路内的电流)（1000/50）1/2 =4.47 安培电容中实际耗散功率：P＝I2 x ESR (这  是电容将耗散的功率)P＝4.47 x 4.47 x 0.018 = 0.34 瓦。

孙  这个结果意味着在一个1000瓦射频功率，50欧姆阻抗的设备中，只有0.34瓦是由于ESR而被电容消耗掉的。因此，电容由于ESR只消耗了它额定zui大功率的6.8％。由于电容ESR损耗极低， 电容温升可以忽略。

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