大量安规过认证电容2220 X2 AC250V DC2.5KV 10NF专业抑制EMI传导干扰电容
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孙
GA355QR7GB103KW01L 2220 X2 AC250V DC2.5KV 10NF
GA355DR7GB223KW01L 2220 X2 AC250V DC2.5KV 103K
GA355ER7GB473KW01L 2220 X2 AC250V DC2.5KV 473K
大量安规过认证电容2220 X2 AC250V DC2.5KV 10NF专业抑制EMI传导干扰电容
■特点
1. 交流线路用片状独石陶瓷电容器。
2. 新型独石结构,体积小、静电容量高,能在高电压下工作。
3. 镀锡外部电极实现了良好的可焊性。
4. 仅适用回流焊接。
5. 静电容量0.01至0.1μF于连接线路,而470至4700pF用于将
线路接地。
切换式电源、、传真机、调制解调器的噪声抑制滤波器用。
GA242QR7E2471MW01L 1808 AC250 X7R 470pF ±20%
GA242QR7E2102MW01L 1808 AC250 X7R 1000pF ±20%
GA243QR7E2222MW01L 1812 AC250 X7R 2200pF ±20%
GA243QR7E2332MW01L 1812 AC250 X7R 3300pF ±20%
GA243DR7E2472MW01L 1812 AC250 X7R 4700pF ±20%
GA243QR7E2103MW01L 1812 AC250 X7R 10000pF ±20%
GA243QR7E2223MW01L 1812 AC250 X7R 22000pF ±20%
GA243DR7E2473MW01L1812 AC250 X7R 47000pF ±20%
GA255DR7E2104MW01L 2220 AC250 X7R 0.10μF ±20%
GA355DR7GC101KY02L 2220 AC250 X1/Y2 X7R 100PF ±10%
GA355DR7GC151KY02L 2220 AC250 X1/Y2 X7R 150 PF ±10%
GA355DR7GC221KY02L 2220 AC250 X1/Y2X7R 220 PF ±10%
GA355DR7GC331KY02L 2220 AC250 X1/Y2X7R 330 PF ±10%
大量安规过认证电容2220 X2 AC250V DC2.5KV 10NF专业抑制EMI传导干扰电容
1.利用贴片陶瓷电容器介质层的薄层化和多层叠层技术,使电容值大为扩大
2.单片结构保证有的机械性强度及可靠性
3.*的精确度,在进行自动装配时有高度的准确性
4.因仅有陶瓷和金属构成,故即便在高温,低温环境下亦无渐衰的现象出现,具有较强可靠性与稳定性
5.低集散电容的特性可完成接近理论值的电路设计
6.残留诱导系数小,确保上佳的频率特性
7.因电解电容器领域也获得了电容,故使用寿命延长,更造于具有高可靠性的电源
8.由于ESR低,频率特性良好,故于高频,高密度类型的电源
工作温度范围: -55~125℃
额定电压: 100VDC~3000VDC
温度特性: NPO:≤±30ppm/℃,-55~125℃(EIA Class I) X7R:≤±15%,-55~125℃(EIA Class II)
容量范围: NPO:2pF to 100nF;X7R:150pF to 2.2uF
损失角正切(tanδ): NPO:Q≥1000;X7R:D.F.≤2.5%
绝缘电阻: 10GΩ 或 500/C Ω 取两者zui小值
老化速率: NPO:1%;X7R:2.5% 一个decade时间
介质电耐电压: 100V ≤ V <500V :200%
额定电压 500V ≤ V <1000V :150%额定电压 1000v≤ V :120%额定电压
介质耐电压:100V-1000V范围内,可承受1.5倍额定电压。1000V以上:可承受1.2倍额定电压。
电压越高,所能做出的容量越低,生产周期4-6周
(CCT) 宸远科技 陶瓷贴片电容规格:
英制:0805 1206 1210 1808 1812 1825 2220 2225 2211(上下英公规格相对应)
公制:2012 3216 3225 4520 4532 4563 5750 5763 5728(上下英公规格相对应)
低压:6.3V、10V、16V、25V、35V、 45V、 50V、63V、
中压:100V、 150V、 200V、 250V、400V、450V、500V、630V
高压:1KV、1.5KV、2KV、2.5KV、3KV、5KV
容值:1PF(皮法)—220UF(微法)
材质:NPO(COG)、X7R、X5R、Y5V
精度:±5%(J档)±10%(K档)±20%(M档)
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