活性氧化铝厂家  活性氧化铝除了CO2解吸外，另一个容易被忽视的是N2和O2的解吸（主要是N2，空分设备中使用的13X活性氧化铝对N2的吸附能力强于O2），活性氧化铝增压时会吸附大量N2，我们计算过，将装填有活性氧化铝的纯化器增压至一定压力所需要的空气量是将相同容积的空容器增压至同样压力所需空气量的3倍以上！这说明活性氧化铝增压过程中会吸附大量N2，这种吸附作用当然也会放出热量，这个过程放出的热量可能是活性氧化铝容器绝热充气过程放出热量的10倍以上。当然，活性氧化铝对CO2的吸附能力强于N2，对H2O的吸附能力又强于CO2，所以，在活性氧化铝使用时，活性氧化铝先吸附N2，然后N2被CO2置换，CO2又被H2O置换，到使用末期，基本上是活性氧化铝和活性氧化铝底层吸附H2O，活性氧化铝中下层吸附CO2，活性氧化铝顶上层仍然吸附着N2。我们在空分设备用空气加温吹扫时做过试验，发现在增压末期活性氧化铝纯化器内是明显的富氧，而泄压末期纯化器内是氧含量低于10％的富氮，即使活性氧化铝刚使用几分钟就泄压也会出现这种情况。以前见过安钢的一篇文章，说活性氧化铝检修时出现氧含量低，已经用空气使用过了，怎么泄压后氧含量还会低？他们认为是下塔气体倒流至活性氧化铝纯化器所致， 。下塔气体倒流自然可能引起活性氧化铝纯化器内氧含量低，但活性氧化铝本身对N2的吸附和解吸作用也会出现这种富氮的情况。首先所要解决的问题就是，如果单纯的硅片上沉积铝膜，那么后期的阳极氧化实验不好开展，因为阳极氧化是电化学实验，这种情况下不好引线，另外一方面，也是zui重要的一方面就是，即使上述问题解决的了，这种方法也不能得到膜厚超过1μm的活性氧化铝膜，因为若二次氧化的铝层厚度超过这个界限，二次氧化后的活性氧化铝膜会从硅片上脱落下来。于是乎，人们就开始想办法如何解决。