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深圳市华科智源科技有限公司
产地 | 国产 |
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适用碳化硅二极管、IGBT模块MOS管等器件的时间参数测试。
产品详情
功能及主要参数:
适用碳化硅二极管、IGBT模块\MOS管等器件的时间参数测试。
主要技术参数:
IGBT开关特性测试
开关时间测试条件
Ic:50A~1000A Vce:200V~2000V
Vgs:-10V~+20V Rg:1R~100R可调(可选择4档及外接)
负 载:感性负载阻性负载可切换
电感范围:100uH,200uH,500uH,1000uH
电阻范围:0.5R、1R、2R、4R
IGBT开关特性测试参数
开通延迟td(on): 20nS -10uS
上升时间tr: 20nS -10uS
开通能量Eon: 0.1-1000mJ
关断延迟时间td(off):20 nS -10uS
下降时间 tf: 20nS -10uS
关断能量Eoff:0.1-1000mJ
二极管反向恢复特性测试
FRD测试条件:正向电流IF:50A~1000A;反向电压 Vr:200V~2000V;-di/dt:100A/us~10000A/us ;负载:感性负载可选
电感范围:100uH,200uH,500uH,1000uH
FRD测试参数
反向恢复时间trr:20nS -2uS
反向恢复电荷Qc:10nC~10uC;
反向恢复电流Irm:50A~1000A
反向恢复损耗Erec:0.1mJ~1000mJ
产品优势
国内少有能对二极管、IGBT模块、MOS管等器件的时间参数实施测试的设备。
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