用PECVD法在相反织构ZnO:Al上沉积了p-μc-Si:H地膜，钻研了相反织构ZnO:Al与p-μc-Si:H地膜的接触特点，钻研后果表明：在织构后的ZnO:Al上沉积的p-μc-Si:H地膜的晶化率均大于在未织构的ZnO:Al上沉积的p-μc-Si:H地膜，且织构ZnO:Al与p-μc-Si:H地膜的接触电阻也均小于未织构的，且织构工夫*点为15s。
因为半超导体资料的地膜化可以大幅度升高月亮电池组的利润，地膜月亮电池组的钻研曾经变成下一代光伏钻研的要害[1~3]。硅地膜月亮电池组的钻研是热点，所以做作界中硅地膜原资料丰盛，而且硅地膜月亮电池组的制备技能也容易，便于大面积陆续、主动化生产，无助于于未来的财物化停滞[4~5]。在硅地膜月亮电池组的钻研中，微晶硅地膜月亮电池组的钻研曾经变成焦点，所以微晶硅地膜月亮电池组的稳固性好，同非晶硅地膜月亮电池组组成叠层电池组将充足天时用月亮光谱，普及电池组的光电转换效率[6~7]。
微晶硅地膜电池组通常采纳的构造glass/TCO/pin或nip/TCO/Al或Ag背场[8]。其中ZnO地膜作为月亮电池组的前后通明导热电极。ZnO地膜作为前电极的利用务求：高透过率、低电阻率、绒面构造和光学地膜的增透性(定然的地膜薄厚)。ZnO名义决议了TCO/p-Si界面的面积和光学特点，极大地莫须有月亮电池组的电学特点[9]，白文在相反织构工夫的ZnO:Al地膜上沉积p-μc-Si:H地膜，钻研了相反织构工夫的ZnO:Al地膜与p-μc-Si:H地膜的接触特点。
1、试验设计及步骤
白文用稀HF酸对ZnO:Al地膜继续织构，织构工夫别离为10s、20s、15s、20s，失去了相反毛糙度的ZnO:Al地膜[10]，而后用PECVD法在它们下面沉积p-μc-Si:H地膜，钻研名义毛糙度对接触特点的莫须有。
试验中所有样品都是在沈科仪生产的星型式高真空PECVD零碎中的P室沉积的，真空室的本底真空为6.67×10-5Pa[11]。射频电源激起效率为13.56MHz。反响气体为H2浓缩的10%的硅烷，H2浓缩的0.1%的硼烷和高纯H2的混合体。因为硼掺杂对p-μc-Si:H地膜有很大莫须有，从而对接触电阻也有很大的莫须有，因而咱们沉积了两种相反掺杂的p-μc-Si:H地膜，沉积条件别离为：电极间距(d=2cm)，硅烷含量(SiH4%=1%)，硼烷含量(B2H6%=0.1%)，沉积热度(T=150℃)，气体总流量(TF=236sccm)，反响气压(P=133.3Pa)，沉积功率(PRF=50W)，沉积工夫(t=1h)；电极间距(d=2cm)，硅烷含量(SiH4%=1%)，硼烷含量(B2H6%=0.15%)，沉积热度(T=150℃)，气体总流量(TF=200sccm)，反响气压(P=133.3Pa)，沉积功率(PRF=50W)，沉积工夫(t=1h)。
样品的接触特点用I-V探测仪继续了测量和综合，所用的仪器为美国吉时利公司生产的2182A纳伏表和2400恒流源。样品的名义形貌用SEM继续了测量，所用仪器为JSM-6700F/INCA-ENERGY(阿曼电子)。样品的晶化率用Raman谱继续了测量和综合，所用的仪器为Renishaw2000。
4、论断
采纳PECVD技能，在相反织构ZnO:Al地膜上沉积p-μc-Si:H地膜，测试后果综合表明：
(1)织构后的ZnO:Al上沉积的p-μc-Si:H地膜的晶化率均大于未织构的ZnO:Al上沉积的p-μc-Si:H地膜，可知绒面无利于p-μc-Si:H地膜的晶化，织构工夫为15s的ZnO:Al衬底上沉积的p-μc-Si:H地膜的晶化率较高；
(2)织构后的ZnO:Al与p-μc-Si:H的接触电阻均小于未织构的，织构工夫为15s的ZnO:Al与p-μc-Si:H接触电阻也较低，注明织构工夫存在*点；
(3)增大硼掺杂深浅，在相反织构ZnO:Al衬底上沉积的p-μc-Si:H地膜的晶化率与轻掺杂的相比均上升，且接触电阻均变大。
很多成分都会莫须有ZnO:Al/p-μc-Si:H的接触特点，它们之间应存在一*匹配值，尔后果再有待于进一步钻研。
参考文献
[1]赵玉文.月亮电池组新停顿[J].物道学与新能源资料,2004,33(2):99-105.
[2]GuhaS.Thinfilmsiliconsolarcellsgrownneartheedgeofamorphoustomicrocrystallinetransition[J].SolarEnergy,2004,77(6):887.
[3]KondoM,MatsudaA.NovelaspectsinthinfilmsiliconCells-amorphous,microcrystallineandnanocrystallinesilicon[J].ThinSolidFilms,2004,457(1):97.
[4]梁宗辉,沈辉,许宁生，结晶体硅地膜制备技能及钻研异状[J].资料迷信与工事学报,2003,21(4):577-581.
[5]徐慢,夏冬林,杨晟等，地膜月亮能电池组[J].资料导报,2006,20(9):109-110.
[6]张晓丹,赵颖,高艳涛,等.普及微晶硅地膜月亮电池组效率的钻研[J].物道学报，2006,35(12):6697-6700.
[7]张晓丹,赵颖,高艳涛,等.微晶硅地膜月亮中孵化层钻研[J].半超导体学报,2006,27(6):1030-1033.
[8]陈新亮,薛俊明,赵颖,等.ZnO-TCO地膜及其在月亮电池组中的利用[J].资料导报,2006,20(5):22-25.
[9]FurongZhu,TakashiFuyuki,HiroyukiMatsunamietal.AssessmentofcombinedTCO/metalrearcontactforthinfilmamorphoussiliconsolarcells[J].SolarEnergyMaterialsandSolarCells,1995,39:1-9.
[10]PatrickCampbell,MarkKeevers,Lighttrappingandreflectioncontrolforsiliconthinfilmsdepositedonglasssubstratestexturedbyembossing[C].IEEE,2000:355-358.
[11]陈永生,杨仕娥,卢景霄,等.衬底资料对μc-Si:H地膜构造特点的莫须有[J].月亮能学报,2006,27(2):116-119.
[12]吴自勤,王兵.地膜成长[M].*版,北京,迷信问世社,2001:179-180.
[13]朱锋,赵颖,张晓丹,等.从p-a-SiC:H到p-μc-Si:H内中中资料特点的变迁[J].人工结晶体学报,2004,33(2):152-155.
