施耐德XS7E1A1PBL5接近开关

施耐德XS7E1A1PBL5接近开关

在磁场一定时，载流子的迁移率越高，其磁阻效应越明显。当材料中仅存在一种载流子时磁阻效应几乎可以忽略，此时霍尔接近开关效应更为强列。在电子和空穴都存在的材料中，磁阻效应很强。所以磁敏电阻通常选 用锑化铟、砷化铟、锑化镍等半导体材料。磁阻效应还与磁阻材料的形状、尺寸密切相关。这种与磁阻材料的形状、尺寸有关的磁阻效应称为磁阻效应的几何磁阻效应。长方形磁阻器件只有在L<W的条件下，才表现出较高的灵敏度。长宽比L/W越小，其磁阻效应也越明显。实验表明，圆盘状的磁敏电阻的磁阻效应大。

1、灵敏度：接近开关磁阻元件的灵敏度特性是用在一定磁场强度下的电阻变化率来表示的，即磁场-电阻特性的斜率K。在计算时常用磁场强度为0.3T或1T时的磁阻元件电阻值RA与零磁场时的磁阻元件电阻值RO的比值求得，即K=RB/RO。这种情况下，一般磁阻元件的灵敏度大于2.7.通常情况下，磁阻元件的灵敏度是非线性的，并且受温度影响较大，所以使用时应该根据灵敏度特性进行温度补偿。

　　2、磁场-电阻特性：材料不同，磁敏电阻的阻值相对变化率通常也不相同，磁敏电阻的阻值相对变化率与磁场的极性无关，它只随磁场强度的增加而增加。

　　3、电阻-温度特性：由于磁敏电阻是由半导体材料制成的，因此它受温度影响很大。一般半导体磁阻元件的电阻-温度特性曲线。半导体磁阻元件的温度特性不好。电阻值在35度的变化范围内减小了1/2。因此在应用时，一般都要采取温度补偿措施。

　　4、标称阻值和额定功率：磁敏电阻大部分与半导体电路配合使用，其电阻值通常为50-500欧，客定功率在环境温度低80度时一般为几毫瓦。

　　5、频率特性：磁敏电阻的工作频率范围通常为1-10mhz。

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