施耐德XS7F1A1NAL5接近开关

施耐德XS7F1A1NAL5接近开关

接近开关的响应随着磁场大小和方向的变化，可产生正负输出电压的变化，特别是在较弱的磁场作用下，可获得较大输出电压。R区和R区之外的复合能力之差越大，磁敏二极管的灵敏度越高。

　　磁敏二极管反向偏置时，在R区仅流过很微小的反向漏电流，显得几乎与磁场无关。因而二极管两端电压不会因受到磁场作用而有任何改变。利用磁敏二极管随磁场强度变化而变化的关系，可以实现磁电转换。可利用磁敏二极管在正、负向磁场作用下输出信号增量的方向不同差别磁场的方向。

　　NPN型磁敏三极管是在弱P型或弱N型本征半导体上，用合金法或扩散法形成发射极、基极和集电极的半导体元件。

接近开关传感器的磁敏的三极管特点是基区较长，基区结构类似于磁敏二极管，也有高复合率的R区和本征区I区，在长基区的侧面制成一个复合速率很高的高复合区R。长基区分为运输基区和复合基区两部分。

　　接近开关传感器的磁敏三极管工作原理是由于磁敏三极管的基区宽度大于载流子有咨询扩散长度，因而注入的载流子除少部分输入到集电极C外，大部分通过E-I-B形成基极电流。显而易见，基极电流大于集电极电流。

施耐德XS7F1A1NAL5接近开关