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详细介绍
品牌:SENSOTHERM，类型:铂热电阻，型号:PT100/PT1000，分度号:PT100/PT1000，测量范围:-50~400（℃），允差等级:A，热响应时间:小于0.9（s），装箱数:100。
1985年Murata电子集团开始进行白金-薄切型传感器的开发。
1995年以企业管理层收购(MBO)形式，独立的SENSOTHERM
SENSOTHERM铂电阻通过把金属铂研制成粉浆，采用感光平版印刷技术，将铂层附着在陶瓷基片上形成铂膜层，膜厚在2µm以内，加上引线，保护釉经过激光调阻制造而成。
优点：外形尺寸细小，抗震性强，长期稳定性好，自动化生产使其一致性好，热响应时间短，热容量低，复现性较好。
缺点：工作（采样）电流较小（1mA），自热较其它元件大。
◆铂电阻基本值和精度
从-200℃至+600℃的基本值（符合DIN EN60751）:0℃和+100℃之间的平均温度系数：3.85×10-³K-¹，铂电阻温度传感器的基本值按照下列公式计算：
对于范围-200℃至0℃适用公式：
Rt=R。[1+At+Bt²+C(t-100℃)t³]
对于范围0℃至850℃适用公式：
Rt=R。(1+At+Bt²)
1/3级容许误差：
△tin℃=±(0.10+0.0017∣t∣)
容许误差：△tin℃=±(0.15+0.002∣t∣)
B级容许误差：△tin℃=±(0.30+0.005∣t∣)
2B级容许误差：△tin℃=±(0.60+0.007∣t∣)
其中：
Rt 温度为t时的电阻，单位为：Ohm R。 0℃时的标称电阻 t 温度单位为℃ A= 3.9083 x 10-3°C-1 B= -5.775 x 10-7°C-2 C= -4.183 x 10-12°C-4 PT100设计原理： pt100是铂热电阻，它的阻值会随着温度的变化而改变。PT后的100即表示它在0℃时阻值为100欧姆，在100℃时它的阻值约为138.5欧姆。它的工业原理：当PT100在0摄氏度的时候他的阻值为100欧姆，它的的阻值会随着温度上升它的阻值是成匀速增涨的。 Pt100铂电阻温度与电阻值对照表（注：Pt1000铂电阻温度对照表请在此表阻值基础上乘10） PT100/PT1000铂电阻RT曲线图表 组成的部分 pt100/PT1000感温元件有陶瓷元件，玻璃元件，云母元件，它们是由铂丝分别绕在陶瓷骨架，玻璃骨架，云母骨架上再经过复杂的工艺加工而成薄膜铂电阻 薄膜铂电阻：用真空沉积的薄膜技术把铂溅射在陶瓷基片上，膜厚在2微米以内，用玻璃烧结料把Ni（或Pd）引线固定，经激光调阻制成薄膜元件。
1985年Murata电子集团开始进行白金-薄切型传感器的开发。
1995年以企业管理层收购(MBO)形式，独立的SENSOTHERM
SENSOTHERM铂电阻通过把金属铂研制成粉浆，采用感光平版印刷技术，将铂层附着在陶瓷基片上形成铂膜层，膜厚在2µm以内，加上引线，保护釉经过激光调阻制造而成。
优点：外形尺寸细小，抗震性强，长期稳定性好，自动化生产使其一致性好，热响应时间短，热容量低，复现性较好。
缺点：工作（采样）电流较小（1mA），自热较其它元件大。
◆铂电阻基本值和精度
从-200℃至+600℃的基本值（符合DIN EN60751）:0℃和+100℃之间的平均温度系数：3.85×10-³K-¹，铂电阻温度传感器的基本值按照下列公式计算：
对于范围-200℃至0℃适用公式：
Rt=R。[1+At+Bt²+C(t-100℃)t³]
对于范围0℃至850℃适用公式：
Rt=R。(1+At+Bt²)
1/3级容许误差：
△tin℃=±(0.10+0.0017∣t∣)
容许误差：△tin℃=±(0.15+0.002∣t∣)
B级容许误差：△tin℃=±(0.30+0.005∣t∣)
2B级容许误差：△tin℃=±(0.60+0.007∣t∣)
其中：
Rt 温度为t时的电阻，单位为：Ohm R。 0℃时的标称电阻 t 温度单位为℃ A= 3.9083 x 10-3°C-1 B= -5.775 x 10-7°C-2 C= -4.183 x 10-12°C-4 PT100设计原理： pt100是铂热电阻，它的阻值会随着温度的变化而改变。PT后的100即表示它在0℃时阻值为100欧姆，在100℃时它的阻值约为138.5欧姆。它的工业原理：当PT100在0摄氏度的时候他的阻值为100欧姆，它的的阻值会随着温度上升它的阻值是成匀速增涨的。 Pt100铂电阻温度与电阻值对照表（注：Pt1000铂电阻温度对照表请在此表阻值基础上乘10） PT100/PT1000铂电阻RT曲线图表 组成的部分 pt100/PT1000感温元件有陶瓷元件，玻璃元件，云母元件，它们是由铂丝分别绕在陶瓷骨架，玻璃骨架，云母骨架上再经过复杂的工艺加工而成薄膜铂电阻 薄膜铂电阻：用真空沉积的薄膜技术把铂溅射在陶瓷基片上，膜厚在2微米以内，用玻璃烧结料把Ni（或Pd）引线固定，经激光调阻制成薄膜元件。
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