陈霞
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日本napson非接触涡流法薄层电阻检测NC-80MAP
日本napson非接触涡流法薄层电阻检测NC-80MAP
测量目标
半导体/太阳能电池材料相关（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料相关（碳纳米管，DLC，石墨烯，银纳米线等）
导电薄膜相关（金属，ITO等）
硅基外延，离子与
半导体相关的进样样品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*请与我们联xi）
测量尺寸
2-8英寸
（可选； 12英寸）
测量范围
[电阻] 1m至200Ω・ cm
（*所有探头类型的总量程/厚度500um）
[抗剪强度] 10m至3kΩ / sq
（*所有探头类型的总量程）
*有关每种探头类型的测量范围，请参阅以下内容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-cm）
（4）S-高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
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