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详细介绍
日立2011年新推出了SU9000新型超高分辨冷场发射扫描电镜，达到扫描电镜高二次电子分辨率0.4nm和STEM分辨率0.34nm。日立SU9000采取了全新改进的真空系统和电子光学系统，不仅分辨率性能明显提升，而且作为一款冷场发射扫描电镜甚至不需要传统意义上的Flashing操作，可以高效率的快速获取样品超高分辨扫描电镜图像。
产品特点：
1. 新型电子光学系统设计达到扫描电镜高分辨率：二次电子0.4nm（30KV），STEM 0.34nm（30KV）。
2. Hitachi专li设计的E×B系统，可以自由控制SE和BSE检测信号。
3. 全新真空技术设计使得SU9000冷场发射电子束具有超稳定和高亮度特点。
4. 全新物镜设计显著提高低加速电压条件下的图像分辨率。
5. STEM的明场像能够调整信号检测角度，明场像、暗场像和二次电子图像可以同时显示并拍摄照片。
6. 与FIB兼容的侧插样品杆提高更换样品效率和高倍率图像观察效率。
新型超高分辨冷场发射扫描电镜技术参数
| 项目 | 技术指标 | |||
| 二次电子分辨率 | 0.4nm （加速电压30kV，放大倍率80万倍） | |||
| 1.2nm （加速电压1kV，放大倍率25万倍） | ||||
| STEM分辨率 | 0.34nm（加速电压30kV，晶格象） | |||
| 观测倍率 | 底片输出 | 显示器输出 | ||
| LM模式 | 80~10,000x | 220~25,000x | ||
| HM模式 | 800~3,000,000x | 2,200~8,000,000x | ||
| 样品台 | 侧插式样品杆 | |||
| 样品移动行程 | X | ±4.0mm | ||
| Y | ±2.0mm | |||
| Z | ±0.3mm | |||
| T | ±40度 | |||
| 标准样品台 | 平面样品台：5.0mm×9.5mm×3.5mmH | |||
| 截面样品台：2.0mm×6.0mm×5.0mmH | ||||
| 样品台 | 截面样品台：2.0mm×12.0mm×6.0mmH | |||
| 双倾截面样品台：0.8mm×8.5mm×3.5mmH | ||||
| 信号检测器 | 二次电子探测器 | |||
| TOP 探测器（选配） | ||||
| BF/DF 双STEM探测器（选配） | ||||
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