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武汉普赛斯仪表有限公司
武汉普赛斯仪表有限公司
| 测量范围 | 300mV-300V/100nA-1A | 测量精度 | 0.01 |
|---|---|---|---|
| 外形尺寸 | 425*255*106mm | 用途 | 分立半导体器件,传感器,太阳能电池,纳米材料,有机材料 |
| 重量 | 5kg | 测试范围 | 0.3mV-300V/100nA-1A |
| 测试精度 | 0.1% | Z大输出功率 | 30W |
国产S型数字源表集电压、电流输入输出及测量等多种功能，Z大输出电压达300V，最小电流分辨率10pA，支持四象限工作，因此能广泛的应用于各种电气特性测试中，数字源表检验项目找武汉生产厂家普赛斯仪表
数字源表特色：
数字源表指一种可作为四象限的电压源或电流源提供精确的电压或电流，同时可同步测量电流值或电压值的测量仪表；当电源时可作为可编程电压源或可编程电流源；当万用表时可作为数字电压表(电流源,输出电流为0,测电压)或数字电流表(电压源,输出电压为0,测电流)或数字欧姆表(电流源,输出电流为一定值,测电压)；当电子负载时可作为可编程恒压负载或可编程恒流负载；当电源/测量表组合（SMU）时给电压测量电流或给电流测量电压；
数字源表—— 五表合一
国产S型数字源表集电压、电流输入输出及测量等多种功能，Z大输出电压达300V，最小电流分辨率10pA，支持四象限工作，因此能广泛的应用于各种电气特性测试中:半导体IC或元器件，功率器件，传感器，有机材料与纳米材料等特性测试和分析。
以下是数字源表的典型应用领域:
纳米材料与器件
– 石墨烯
– 碳纳米管
– 纳米线
– 低功耗纳米结构
• 半导体结构
– 晶圆
– 薄膜
• 有机材料与器件
– 电子墨水
– 印刷电子技术
• 能量效率与照明
– LED/AMOLED
– 光伏/太阳电池
– 电池
• 分立器件与无源组件
– 双引线: 电阻器、二极管、齐纳二极管、LED、传感器
– 三引线: 小信号双极节型晶体管(BJT)、场效应晶体管 (FET)，等等
• 材料特性分析
–电阻率
–霍尔效应
典型的器件参数测试如下：
晶体管/整流器：正向电压(Vf)、反向电压(Vr)、反向漏电流(Ir)
MOSFET/JFET：输出特性(Vds-Id)、转移特性(Vgs-Id)、导通电阻(Rdson)、击穿电压(BVdss,BVdg)、漏电流(Idss,Igss)
双极性晶体管/IGBT：饱和电压(Vcesat)、输出特性(Vce-Ic)、击穿电压(Vceo,Vebo,Vcbo)、漏电流(Iceo,Ices,Iebo)
三端双向交流开关/可控硅:闭锁电压(Vdrm,Vrrm)、漏电流(Idrm,Irrm)、吸池(保持)电流(Ih)、闭锁电流(Ii)
以上是关于数字源表检验项目的信息，更多有关S系列源表的信息找武汉生产厂家普赛斯仪表
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