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武汉普赛斯仪表有限公司
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功率器件静态参数测试系统集多种测量和分析功能一体，可精准测量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的静态参数，电压可高达3KV,电流可高达4KA
功率器件静态参数测试系统集多种测量和分析功能一体，可精准测量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的静态参数，电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性，uΩ级电阻，p电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容，输出电容、反向传输电容等。
普赛斯以自主研发为导向，深耕半导体测试领域，在I-V测试上积累了丰富的经验，先后推出了直流源表，脉冲源表、高电流脉冲源表、高电压源测单元等测试设备，广泛应用于高校研究所、实验室，新能源，光伏，风电，轨交，变频器等场景。
功率器件：
♦二极管
♦三极管
♦MOS管
♦IGBT
♦SIC
♦GaN
►高电压：支持高达3KV高电压测试；
►大电流：支持高达4KA大电流测试；
►高精度：支持uΩ级电阻、p电流、uV级精准测量；
►丰富模板：内置丰富的测试模板，方便用户快速配置测试参数；
►配置导出：支持一键导出参数配置及一键启动测试功能；
►数据预览及导出：支持图形界面以及表格展示测试结果，亦可一键导出；
►模块化设计：内部采用模块化结构设计，可自由配置，方便维护；
►可拓展：支持拓展温控功能，方便监控系统运行温度；
►可定制开发：可根据用户测试场景定制化开发；
PMST系统配置 | 关键参数 | 备注 |
P系列 | PW高达30V/10A、300V/1A | 栅极特性测试 |
CW高达300V/0.1A、30V/1A | ||
最小脉冲宽度200uS | ||
HCP系列 | PW高达30V/100A | IGBT导通压降、二极管瞬时前向电压测试 |
CW高达10V/30A | ||
最小分辨率30uV/10pA | ||
最小脉冲宽度80uS | ||
HCPL系列 | 单台PW高达12V/1000A，可多台并联 | |
最小脉冲宽度50uS | ||
E系列 | CW高达3000V/100mA | IGBT击穿电压测试 |
最小分辨率10mV/100pA | ||
测量精度 0.1% | ||
电桥 | 频率范围：20Hz~1MHz | IGBT各级间电容测试 |
HVP系列提供0~400V直流偏置电压 S系列提供0~30V直流偏置电压 | ||
预置偏置电阻100kΩ | ||
矩阵开关 | / | 电路切换及源表切换 |
主机 | / | |
测试夹具 | 根据器件封装形式定制 |
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