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化学气相沉积设备系列

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更新时间:2020-07-23 09:23:17浏览次数:561

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产品简介

化学气相沉积设备系列主要用途:主要用来制作SiO2、Si3N4、非晶Si:H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介电、半导体及金属膜。

详细介绍

化学气相沉积设备系列产品概述

1、适用范围:适合于各单位实验室、高等院校实验室、教学等的项目科研、产品中试之用。

2、产品优点及特点:应用于半导体薄膜、硬质涂层等薄膜制备,兼等离子体清洗、等离子体刻蚀。

3、主要用途:主要用来制作SiO2、Si3N4、非晶Si:H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介电、半导体及金属膜。

 

化学气相沉积设备系列技术参数

型号PECVD350
真空腔室结构立式上开盖结构
真空腔室尺寸Φ350×H300mm
基片台尺寸Φ200mm
衬底温度500±5℃
电源RF 500W
控制方式PLC控制
占地面积主机L1600×W800×H1700mm
总功率≥6KW

北京泰科诺科技有限公司自2003年成立以来,一直专注于真空设备的研发、设计、制造,是一家集真空薄膜新材料沉积设备、真空技术应用设备等相关设备及其工艺的研发、设计、制造、销售、服务于一体的*。

 

公司的研发中试孵化基地位于毗邻雄安新区的任丘经济技术开发区,距离未来的雄安高铁站约20公里,占地面积20000㎡,不仅建有包括机加工、电气、结构组装,调试等多个中试生产车间和办公楼以及其它辅助厂房;同时建有研发工艺、服务客户的开放实验室。公司还聘请了国内外真空行业zi深的专家、教授作为本公司的技术顾问,确保真空设备产品高水平,始终保持较强的自主研发能力、*的设计概念、领xian的技术优势。

 

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