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温州鑫川越防爆科技有限公司
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阅读：111发布时间：2023-1-25
让我们将其与目前市场上使用的灯泡进行比较。
1、白炽灯和卤钨灯，光效12-24流明/瓦。
2、荧光灯和HID灯的发光效率为50至120流明/瓦。
3、LED防爆灯有望达到250流明/瓦，目前为110流明/瓦，并已成功应用实施。
从这个值可以看出，如果条件允许，光源的光效可以更高。您可以无限使用99% 的灯光效果，直到达到99%。
目前，比较可行的提高发光效率的方法有：
1、LED防爆灯激光剥线技术（LLO）：
激光剥离技术(LLO) 使用激光能量区分GaN/蓝宝石界面处的GaN 缓冲层，然后将铅外延晶片与蓝宝石衬底分离。其技术优势是可以将外延片转移到导热系数高的散热片上，提高了大尺寸芯片的电流膨胀率。 面是发光面。发光面积增大，电极小，便于精细布局准备，减少刻蚀、研磨和划片。更重要的是，蓝宝石基板可重复使用。
2、LED防爆灯芯片键合技术：
光电设备对其所需要的数据有特定的功能要求，通常要求带宽差异大，数据折射率变化大指数。不幸的是，通常没有这种自然信息。而使用同质外延生长技术通常无法构建所需的带宽差异和折射误差指数不仅价格昂贵，而且成本高。接触界面的密度也非常高，难以形成高质量的光电集成设备。这是因为低温键合技术大大减少了不同材料之间的热失配，减少了应力和位错，使构建高质量设备成为可能。随着对键合机理的逐步了解和键合工艺技术的逐步了解，现在可以将不同材料的各种芯片相互键合，形成一些特殊的材料和设备。
3、led防爆灯透明基板技术：LED显示屏通常通过在GaAs衬底上外延生长InGaAlP发射区GaP窗口区来制备。由于GaAs材料的禁带宽度比InGaAlP小很多，当短波长光从发射区和窗面进入GaAs衬底时，被吸收，使得光没有器件的高输出功率.布喇格反射区在衬底和限制层之间生长，因此射向衬底的光可以反射回发射区或窗口，从而改善器件的发光特性。一个更有用的方法是先去除GaAs 衬底，然后用透明的GaP 晶体代替它。
4、led防爆灯具外观微布局技术：
表面微布局工艺是另一种提高设备光输出的有用技术。这项技术的基本关键是在芯片表面蚀刻许多小布局，大约是光波长的大小。每个布局看起来像这样：以截头四面体的形式，不仅尺寸增大，而且增加了出光面积，改变了光在芯片表面的折射方向，大大提高了透射光功率。测量表明，对于窗口层厚度为20 m 的器件，光输出可以增加30%。将窗口层的厚度减少到10 m 可使光输出增加60%。
当然，我们还是期待led防爆灯的实际发光效率，可以达到99%，既节能又环保！
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