高磁场型霍尔效应测试系统半导体材料测量 返回列表页

    霍尔效应测试系统用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必*的工具。 实验结果由软件自动计算得到，可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(HallCoefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)等。

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  高磁场型霍尔效应测试系统半导体材料测量

可测试材料:

半导体材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和铁氧体材料等；Ø

低阻抗材料：石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR 材料等；

高阻抗材料：半绝缘的 GaAs, GaN, CdTe 等。

本仪器系统由：电磁铁、电磁铁电源、高精度恒流源高精度电压表、高斯计、霍尔效应样品支架、标准样品、系统软件。

高磁场型霍尔效应测试系统半导体材料测量

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技术指标：

* 磁 场：10mm 间距为 2T ,20mm 间距为 1.3T

* 样品电流：0.05uA~50mA(调节 0.1nA)

* 测量电压：0.1uV~30V ▲ 提供各类测试标准材料，各级别硅与砷化镓（灵敏度与精度不同）

* *小分辨率：0.1GS

* 磁场范围：0-1T

* 配合高斯计或数采板可计算机通讯

* I-V 曲线及 I-R 曲线测量等

* 霍尔系数、载流子浓度等参数的变化曲线

* 电阻率范围：5*10^-5～5*10²Ω.cm

* 电阻范围：10 m Ohms~ 6MOhms

* 载流子浓度：5*10¹²～51*10²⁰cm^-3

*霍尔系数：±1*10^-2～±1*10⁶cm³/C

* 迁移率：0.1~108 cm 2 /volt*sec

*测试全自动化，一键处理

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作为北京高科技企业，锦正科技以现代高科技产业和传统产业为核心业务，对内承接科研生产任务，对外以商务平台方式实现军民两用技术成果转换，形成了科学管理的现代化经营模式，专门从事物理、化学和材料等领域的科学仪器研发、销售  各类型超低温测试设备（液氮 液氦）制冷机系统集成 ，定制 ，高低温真空磁场发生系统，Helmholtz线圈（全套解决方案），电磁铁（全系列支持定制），螺线管，电子枪（高稳定性双极性磁铁恒流电源1ppm），高低温磁场真空探针台，霍尔测试系统，电输运测量解决方案，磁光克尔效应测量系统等产品种类齐全，性能可靠，至今已有近10余年的历史，是国内（较早）生产探针台，电输运，电磁铁的厂家之一。