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日本ae-mic超高速芯片电阻检测用AE-162E

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更新时间:2022-07-18 11:16:46浏览次数:532次

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材料 复合膜 性能 可调
种类 热敏
日本ae-mic超高速芯片电阻检测用AE-162E
兼容极小的芯片(低功耗测量)
超高速 0.7msec.(代表值)

日本ae-mic超高速芯片电阻检测用AE-162E

适用于 D、F、G、J、K 级、芯片、melph、径向和轴向电阻器的分拣和编带机

  • 兼容极小的芯片(低功耗测量)

  • 超高速 0.7msec.(代表值)

  • 通过热电动势抵消测量实现高精度和高稳定性

  • 通过各量程的测量值积分时间设置功能实现超高速和高稳定性测量

  • % 测量:± 99.99% [5mΩ-109MΩ]

  • 测量:0.00mΩ~200.00MΩ

  • 接触检查:可选择测量前/测量后/OFF

  • RS-232C接口标准设备(GP-IB可选)

  • 打印机输出标准设备(基于Centronics)

  • 设置值传输功能标准设备:(相同的设置数据可以传输到另一台AE-162E并且可以自动设置)

  • 测量电流/测量电压异常检查电路标准设备

测量范围和基本精度(环境温度23°C±5°C),校准后180天[校准后1年:1.5次]
测量范围标准值设定范围测量电流测量精度*
减缓快速地
100mΩ5mΩ-100mΩ100mA± 0.02% ± 2a ± 2d± 0.03% ± 3a ± 2d ± [2 / (1 + n)] d
100.1mΩ~1Ω100mA±0.02%±a±1d以内± 0.02% ± a ± 2d ± [2 / (1 + n)] d
10Ω1.001Ω~10Ω50mA
100Ω10.01Ω-100Ω10mA±0.02%±1d以内± 0.02% ± 2d ± [1 / (1 + n)] d
1kΩ100.1Ω~1kΩ5mA
10kΩ1.001kΩ~10kΩ0.5mA
100kΩ10.01kΩ-100kΩ50μA
1兆欧100.1kΩ~1MΩ5μA± 0.05% ± 2d ± [1 / (1 + n)] d
10兆欧1.001MΩ ~ 10MΩ0.5μA±0.03%±1d以内± 0.2% ± 4d ± [1 / (1 + n)] d
100MΩ10.01MΩ ~ 109MΩ0.05μA±0.1%±2d以内────
* D = 位数,n = 积分时间(毫秒),% 测量值:α = (100 / 标准设定值 mΩ) x 0.01%,值测量值:α = 0(添加 ± 1d)

* 屏蔽状态下的*精度

日本ae-mic超高速芯片电阻检测用AE-162E

测量时间外部启动自由奔跑
减缓快速地减缓快速地
大约 18 毫秒-400 毫秒。大约 0.7 毫秒-400 毫秒。约30次/秒~
约2次/秒
约60次/秒~
约2次/秒
测量端子开路电压15V以下
测量结束信号(EOC)脉宽1 至 250 毫秒,可连续设定
测量方法4端测量/2端测量可切换
判断值设定范围%测量:±99.99%,值测量:00000-20000
周边环境温度:0℃~+50℃,湿度:80%以下
需要电源AC85V~265V,50Hz~60Hz,约50VA
外形尺寸333 (w) x 99 (H) x 300 (D) mm(不包括橡胶脚垫等突出部分)
重量约3.5kg
选项・ GP-IB
・ 数据传输线
・ 短接(零欧姆标准电阻)
・ 转换适配器(3P x 2⇒5P)

* 规格如有改进,恕不另行通知。



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