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DFB和DBR激光器

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更新时间:2021-06-30 20:40:27浏览次数:579次

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产品简介

DFB和DBR激光器

详细介绍

DFBDBR激光器

高功率1550nm DFB 激光器

主要特点:

  • ITU 网格的波长
  • 输出功率可达 100mW
  • 低 RIN
  • 保偏 or SMF28 光纤
  • 激光焊接且密封的
  • 内置热敏电阻和监控探测器
  • 可选 Bias-T

应用:

  • Analog RF Links
  • Seeding
  • Pulsing
  • Sensing
  • CATV

光电特性:

TOP=25°C, continous wave and beginning of life unless otherwise specified.

Parameter

Sym.

Condition

Min

Typ.

Max

Unit

工作芯片温度

TCHIP

20

35

°C

阈值电流

ITH

50

mA

激光器驱动电流

IOP

375

500

mA

激光器正向电压

VF

I= IMAX

3

V

输出功率

POP

100mW Version, I=IOP

100

mW

80mW Version, I=IOP

80

63mW Version, I=IOP

63

50mW Version, I=IOP

50

40mW Version, I=IOP

40

中心频率

FOPT

P=POP

See ordering information

THz

线宽

Δν

1

MHz

相对强度噪声

RIN

P=POP, 0.2GHz→14GHz

-150

dB/Hz

边模抑制比

SMSR

P=POP

30

dB

光学隔离

ISO

30

35

dB

消光比

PER

17

21

dB

监控光敏二极管电流

IPD

100

µA

监控光敏二极管暗电流

ID

100

nA

追踪误差

-0.5

0.5

dB

TEC 电流

TOP=70°C, P=POP, TCHIP=25°C

4.0

A

TEC 电压

TOP=70°C, P=POP, TCHIP=25°C

4.0

V

热敏电阻阻抗

RTH

T=25°C

9500

10000

10500

Ω

热敏电阻 β系数

β

0 / 50°C

3892

高带宽 DFB 激光器

主要特点:

  • 输出功率可达 18 mW
  • 高带宽 > 10 GHz
  • 超高速脉冲性能
  • 激光焊接和密封
  • 内置热敏电阻和监控探测器

光电特性:

TOP=25°C, continous wave and beginning of life unless otherwise specified.

Parameter

Sym.

Condition

Min

Typ.

Max

Unit

工作芯片温度

TCHIP

15

35

°C

阈值电流

ITH

8

20

mA

激光器驱动电流

IOP

75

100

mA

激光器正向电压

VF

I= IMAX

1.6

2

V

输出功率

POP

I=IOP

18

mW

中心波长

λ

P=POP

1310
1550

nm

线宽

Δ ν

1

MHz

相对强度噪声

RIN

P=POP, 0.2GHz→3GHz

-150

dB/Hz

边模抑制比

SMSR

P=POP

30

dB

光学隔离

ISO

30

35

dB

消光比

PER

17

19

dB

监控光敏二极管电流

IPD

50

µA

监控光敏二极管暗电流

ID

100

nA

追踪误差

-0.5

0.5

dB

TEC 电流

TOP=70°C, P=POP, TCHIP=25°C

2.0

A

TEC 电压

TOP=70°C, P=POP, TCHIP=25°C

2.5

V

热敏电阻阻抗

RTH

T=25°C

9500

10000

10500

Ω

热敏电阻 β 系数

β

0 / 50°C

3892

1064nm DBR 激光器

主要特点:

  • 输出功率可达 150 mW
  • 快速脉冲性能
  • 保偏或者 SMF28光纤
  • 激光焊接和密封
  • 内置TEC和监控探测器

应用:

  • Master oscillator for MOPA
  • Seeder for fiber lasers
  • Seeder for DPSS lasers

光电特性:

TOP=25°C, continous wave and beginning of life unless otherwise specified.

Parameter

Sym.

Condition

Min

Typ.

Max

Unit

工作芯片温度

TCHIP

15

35

°C

阈值电流

ITH

40

50

mA

激光器驱动电流

IOP

500

550

mA

激光器正向电压

VF

I= IMAX

2.0

2.5

V

输出功率

POP

I=IOP

150

mW

中心波长

λ

P=POP

1062

1064

1066

nm

线宽

Δ ν

8

10

MHz

边模抑制比

SMSR

P=POP

-30

dB

消光比

PER

14

19

dB

监控光敏二极管电流

IPD

P=POP

50

µA

监控光敏二极管暗电流

ID

100

nA

TEC 电流

ΔT=25°C, P=POP

3.5

A

TEC 电压

ΔT=25°C, P=POP

3.5

V

热敏电阻阻抗

RTH

T=25°C

9500

10000

10500

Ω

热敏电阻 β 系数

β

0 / 50°C

3892

1064 nm高功率 DFB Laser

主要特点:

  • 输出功率可达 50mW
  • 保偏光纤
  • 密封
  • 内置光学隔离器,TEC,热敏电阻和监控探测器
  • 可选的 Bias Tee

应用:

  • Master Oscillator
  • Pulsing
  • Sensing
  • Defense
  • Mode-hop free tuning

光电特性:

TOP=25°C, continous wave and beginning of life unless otherwise specified.

Parameter

Sym.

Condition

Min

Typ.

Max

Unit

工作芯片温度

TCHIP

20

40

°C

阈值电流

ITH

17

mA

激光器驱动电流

IOP

400

mA

激光器正向电压

VF

I= IMAX

3

V

输出功率

POP

I=IOP

50

mW

中心波长

λ

P=POP

1062

1064

1066

nm

线宽

Δ ν

0.1

nm

边模抑制比

SMSR

P=POP

40

dB

消光比

PER

17

21

dB

监控光敏二极管电流

IPD

P=POP

100

µA

监控光敏二极管暗电流

ID

100

nA

TEC 电流

ΔT=25°C, P=POP

3

A

TEC 电压

ΔT=25°C, P=POP

3

V

热敏电阻阻抗

RTH

T=25°C

9500

10000

10500

Ω

热敏电阻 β 系数

β

0 / 50°C

3892

关键词:芯片 隔离器

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