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MOSFET精准控制电机驱动应用,根据电机控制应用需求选择合适的MOSFET

阅读:79发布时间:2023-1-5

  MOSFET经常用于不同类型电机的电机驱动器,本文将为您介绍多款由安森美半导体(ON Semiconductor)所推出的MOSFET的功能特性。


  不同电机规格搭配不同的功率MOSFET


  通过使用MOSFET这类的功率开关组件,对MOSFET进行导通或关断,可调节电机绕组所加电压,以实现电机转速或转轴位置的控制,可用于直流有刷电机、直流无刷电机、步进电机、开关磁阻电机,以及交流感应电机的驱动控制。


  即使电机的类型不同,驱动电路的功能都是向电机绕组提供可控的电压和电流。电压和电流值会根据所用电机的类型和尺寸而有所变化,因此在选择MOSFET之时,必须先确认驱动电机所需的功率,才能选择合适的功率开关组件。由于不同电机类型的电压和电流额定值不同,因此应根据应用和设计目标的要求,选择具有特定额定值的驱动器件。


  多种规格满足不同电机应用需求


  安森美半导体拥有多样规格的MOSFET功率器件,针对电机驱动应用,这些MOSFET都具有低RDS(on)以最小化导通损耗,低QG和低输入电容,可最小化开关损耗,减少驱动器损失,这些器件均是无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,且符合RoHS要求等特性,以下将为您介绍几款常用的MOSFET供您选择。


  NTMFS5C404N是一款单N沟道的功率MOSFET,支持40V、378A、0.7mΩ,具有面积小(5x6毫米)的紧凑设计,结温为175℃,可为具备热挑战应用,提供更大的设计余量。



  NTMFS5C404NL则是一款单N沟道的功率MOSFET,支持40V、370 A、0.67 mΩ,具有5x6毫米的小面积紧凑设计。NTMFS5C404NL与NTMFS5C404N都可应用于负载点模块、高性能DC-DC转换器、次级同步整流、直流电机驱动,终端产品则为网通、电信设备、服务器与手持式电动工具等。


  NTMFS5C604N则是一款60V、280A、1.2mΩ、单N沟道,采用SO8-FL封装的功率MOSFET,适用于紧凑和高效设计的商业应用,安装在5x6mm扁平引线封装中,且具有较高的热性能。NTMFS5C604N采用小面积的5x6毫米紧凑设计,可应用于电机控制、电源开关(高侧驱动器、低侧驱动器、H-Bridge等)、同步整流器,终端产品则为开关电源、电动工具、太阳能逆变器、电池管理等。


  NTBLS0D7N06C则是一款单路、N通道,采用TOLL封装,支持60 V,0.75 mΩ、470 A的功率MOSFET,可降低开关噪声/EMI。典型应用为电池负载开关、电机驱动,终端产品为用电池操作的电动工具、电池供电的真空吸尘器,无人航空载具(UAV)/无人机、物料搬运、电池管理系统(BMS)/存储、家庭自动化等。


  Power Trench工艺结合屏蔽闸极技术 (T6 MOSFETs)


  安森美半导体还拥有一系列采用Power Trench工艺生产的MOSFET功率器件,该工艺结合了屏蔽闸极沟槽技术,此工艺经过了优化,可降低导通电阻,同时可保持的开关性能,以及具备业内的软体二极管,这些MOSFET的RDS(on)更低,效能更佳。


  NTMTS0D4N04C是一款单N沟道、40V、558A、0.45mΩ,采用Power Trench工艺生产的薄型PQFN 8x8封装的功率MOSFET,具有8x8毫米的小面积紧凑设计,拥有高峰值电流和低寄生电感,结温为175℃,可为热挑战应用提供更大的设计余量,采用业界标准的Power 88封装。NTMTS0D4N04C可应用于电机控制、DC-DC转换器、电池管理/保护、动力转向/负荷开关,终端产品包括电动工具、电动踏板车、无人机、电池管理/保护、网通、电信设备与电源供应器等。


  NTMTS0D4N04CL同样是一款单N沟道功率MOSFET 40V,支持553.8A、0.4mΩ,采用PQFN 8x8封装,它与NTMTS0D4N04C都采用了Power Trench工艺生产,因此具有相同的特性,可保持出色的开关性能。NTMTS0D4N04CL的占用面积小,为8x8毫米的紧凑设计。典型应用包括电动工具、电池供电的真空吸尘器、UAV/无人机、物料搬运、BMS/存储、家庭自动化等。


  NTMTS0D7N06C是一款单N沟道的功率MOSFET,支持60V、464 A、0.72mΩ,采用PQFN 8x8封装,这款N沟道T6 60V中压MOSFET是使用安森美半导体的*Power Trench工艺生产,采用薄型PQFN 8x8封装的紧凑设计,具备高峰值电流和低寄生电感,可为热挑战应用提供更大的设计余量,结温为175℃。


  NTMTS0D7N06CL则是单N沟道,60V、477A、0.68mΩ,采用薄型PQFN 8x8封装的功率MOSFET,此N沟道T6 60V MV MOSFET也是使用安森美半导体*的Power Trench工艺生产的,拥有与NTMTS0D7N06C相似的特性。NTMTS0D7N06CL占用面积小(8x8毫米),设计相当紧凑,结温为175℃,具备高峰值电流和低寄生电感,可为热挑战应用提供更大的设计余量,采用业界标准的Power 88封装。


  NTMTS0D7N06C与NTMTS0D7N06CL的典型应用包括电机控制、DC-DC转换器、电池管理/保护、动力转向/负荷开关,终端产品包括电动工具、电池供电的真空吸尘器、电动踏板车、UAV/无人机、物料搬运、BMS/存储、电池组/储能单元、电信、网通设备、电源供应器、家庭自动化等。



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