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aos万代AOW66616新品mos管上市,采用TO-262封装,属于N型mos管防静电二极管肖特基二极管VDS(V)漏极电压:60V,VGS(±V)栅极电压:20±V,目前aos万代AOW66616新品已经在很多项目里应用,产品反馈不错,如果需要采购aos万代AOW66616新品的,可以直接联系泰德兰电子
aos万代AOW66616新品mos管上市,采用TO-262封装,属于N型mos管"防静电二极管""肖特基二极管"VDS (V)漏极电压:60V,VGS (±V)栅极电压:20±V,目前aos万代AOW66616新品已经在很多项目里应用,产品反馈不错,如果需要采购aos万代AOW66616新品的,可以直接联系泰德兰电子。
沟槽功率MOSFET-AlphaSGTTM技术·低RDS(ON)·优良的栅极电荷xRDS(ON)产品(FOM)·RoHS和无卤柔顺剂
直流/直流和交流/直流变换器中的同步整流·工业和电机驱动应用。
VDS 60V
ID (at VGS=10V) 140A
RDS(ON) (at VGS=10V) < 3.2mΩ
RDS(ON) (at VGS=6V) < 4.6mΩ
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