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中国台湾 UBIQ 40V23A快开关MOSFET QM4002AD数据手册规格书

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产品型号QM4002AD

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更新时间：2022-03-24 10:06:09浏览次数：201次

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深圳市泰德兰电子有限公司

经营模式：代理商

商铺产品：523条

所在地区：广东深圳市

联系人：杨泽铭（销售经理）

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产品简介

TheQM4002ADisthehighestperformancetrenchN-chMOSFETswithextremehighcelldensity,whichprovideexcellentRDSONandgatechargeformostofthesynchronousbuckconverterapplications

详细介绍

The QM4002AD is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications.

40V快开关mosfet/QM4002AD替换AOD454A代替QM4002AD替代AOD454A_UBIQ-semi_

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The QM4002AD meet the RoHS and Green Product requirement , 99% EAS guaranteed with full function reliability approved.

QM4002AD替换AOD454A代替QM4002AD替代AOD454A

Feature

Advanced high cell density Trench technology.

Super Low Gate Charge.

Excellent CdV/dt effect decline.

99% EAS Guaranteed

Green Device Available.

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Application

High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter for MB/NB/UMPC/VGA.

Networking DC-DC Power System.

Load Switch.

MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-SemIConductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管，符号如图1所示。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强"了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽"了载流子，使管子转向截止。