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中国台湾松木MOS管 ME06N30数据手册规格书ME06N30中文资料pdf

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产品型号ME06N30

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联系方式:杨泽铭查看联系方式

更新时间:2022-03-24 10:28:14浏览次数:157次

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经营模式:代理商

商铺产品:523条

所在地区:广东深圳市

联系人:杨泽铭 (销售经理)

产品简介

TheME06N30istheN-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology

详细介绍

  • The ME06N30 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density,DMOS trench technology.This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.

    ME06N30是一种N通道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高密度DMOS沟道技术制造,这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。


    应用:

    ●电源管理


    ●DC/DC转换器


  • ● RDS(ON)≦1.25Ω@VGS=10V

    ● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)


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